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如何减少SiC单晶相变？
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最近在做SiC晶体方面的课题，用单晶炉生长4H-SiC。但是经常能够出现6H或是15R相变，还有大量的贯穿微管。翻了不少书籍，也做了不少调整尝试，仍然不是很得要领。请各位大神指点，如何才能尽可能减少相变呢？ |
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