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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳器件 » 请教一下Si片清洗相关问题
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ForJN

铁虫 (初入文坛)

[求助] 请教一下Si片清洗相关问题 已有1人参与

本人是在硅片上长一层二氧化硅，用BOE清洗后发现随着清洗次数的增长，再长的SiO2折射率会越来越大，是不是因为硅片表面被BOE腐蚀变性导致的，有什么方法能解决这个问题呢，不想过一段时间就换硅片，又麻烦成本又高
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1楼 2020-01-06 11:11:29
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ForJN

铁虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2020-01-07 17:54:08
反复氧化和腐蚀会导致粗糙度增加，不知道你长SiO的方法是什么，热氧还是PECVD，或者溅射？粗糙度对氧化硅的形成也不应该有什么影响的。或者是原生氧化层的影响？？
折射率测量是用椭偏仪吗？按理说用椭偏不会受粗糙 ...

是用PECVD长的，SiH4+N2O；
测试是用F20测试的，就是清洗多次后用F20测出来的折射率会明显飘掉，越来越高；
买新硅片是可以买啦，目前就是想看看有什么方式可以不换Si片稳定测膜厚和折射率
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3楼2020-01-08 16:12:56
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
反复氧化和腐蚀会导致粗糙度增加，不知道你长SiO的方法是什么，热氧还是PECVD，或者溅射？粗糙度对氧化硅的形成也不应该有什么影响的。或者是原生氧化层的影响？？
折射率测量是用椭偏仪吗？按理说用椭偏不会受粗糙度影响。
建议直接换硅片，其实BOE腐蚀和后学清洗的费用，和硅片的钱比起来，还不一定哪个贵呢。建议找研材微纳。一般同批次的硅片不会有什么差异，多买点儿也没多少钱。
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2楼2020-01-07 17:54:08
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yswyx

专家顾问 (著名写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by ForJN at 2020-01-08 16:12:56
是用PECVD长的，SiH4+N2O；
测试是用F20测试的，就是清洗多次后用F20测出来的折射率会明显飘掉，越来越高；
买新硅片是可以买啦，目前就是想看看有什么方式可以不换Si片稳定测膜厚和折射率...

我不知道什么是F20，查了一下这个不是椭偏，是一种反射式的膜厚测量仪，有点儿类似白光干涉。
这种膜厚测量仪是不能作为折射率测量的标准的，所以建议你找个椭偏，把你之前做好的片子再测一遍。
因为白光干涉是会受到粗糙度的影响的，你还可以测一下你每次腐蚀后，片子的粗糙度，找个AFM测。
你的片子是研材微纳买的吗？像这种现象，很可能你一开始的片子粗糙度就有问题，应该直接先找研材技术部门询问。
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4楼2020-01-08 16:41:22
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Nano2016

新虫 (著名写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2020-01-07 17:54:08
反复氧化和腐蚀会导致粗糙度增加，不知道你长SiO的方法是什么，热氧还是PECVD，或者溅射？粗糙度对氧化硅的形成也不应该有什么影响的。或者是原生氧化层的影响？？
折射率测量是用椭偏仪吗？按理说用椭偏不会受粗糙 ...

PECVD 稳定性如何？SiO的厚度多大？这些都很重要。

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5楼2020-03-10 18:50:16
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