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Q霜月

新虫 (初入文坛)

[求助] 研磨单晶硅片时,<111>晶向和<100>晶向有差别吗? 已有2人参与

制造单晶硅片时,研磨片过程中,<111>晶向和<100>晶向有差别吗?
<111>晶向原子面密度大,是不是需要增大研磨时的压力?
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化拥天下

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
Q霜月: 金币+15, ★★★★★最佳答案 2019-07-02 15:55:08
不推荐增加压力,<111>研磨速率基本也就比<100>片慢个10%不到速率。研磨压力加大容易碎片、增大损伤层厚度、TTV等表面形貌等问题,并且为下道抛光工序增加难度。如果你实在想抛光效率和<100>一样的话,推荐增加转速更靠谱一点。
3楼2019-06-25 10:12:01
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Ace555

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
Q霜月: 金币+5, 有帮助 2019-07-02 15:55:15
1:研磨机不论是高能球磨还是纳米砂磨都无法触及原子结构,顶多也就二三十纳米的层级,基本上不会影响晶型;
2:楼主提到的研磨压力应该是指增加棒销旋转速度从而增大研磨剪切力吧,若是自吸式砂磨机几乎没有压力一说,若是机封式砂磨机,压力也只是隔膜泵引入的输送料和打出料的动力,也几乎不会对研磨力带来影响。
更多关于研磨分散的问题,可以相互交流,参看这个网站:http://fee555.gotoip2.com/faded.asp
2楼2019-06-15 15:04:12
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BAIMAFEIMA

新虫 (小有名气)

《111》晶向的单晶硅片比《100》晶向去厚慢

发自小木虫Android客户端
4楼2019-10-20 08:16:08
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