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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 氮化硅SiN膜上光刻后溅射钛Ti或金Au后出现光刻胶PR鼓泡的情况
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czcdxmc

木虫 (正式写手)

MEMS小学生

[求助] 氮化硅SiN膜上光刻后溅射钛Ti或金Au后出现光刻胶PR鼓泡的情况 已有2人参与

SiN膜上光刻后做溅射工艺，溅射Ti或Au后出现光刻胶PR鼓泡的情况，虫友门有遇到这种问题的吗？
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学海无涯，回头是岸。
1楼 2019-01-16 22:04:42
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野人禾禾

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
溅射温度高，可以降低沉积温度；轰击能量高，试着降低沉积功率；
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擅长薄膜材料工艺，欢迎交流captain0119
3楼2019-01-17 10:29:12
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MEMSlee

捐助贵宾 (著名写手)
溅射温度高所以起泡，正常不影响剥离

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2楼2019-01-17 09:35:32
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czcdxmc

木虫 (正式写手)

MEMS小学生
引用回帖:
2楼: Originally posted by MEMSlee at 2019-01-17 09:35:32
溅射温度高所以起泡，正常不影响剥离

但是如果没有SiN的话，就不存在这样的问题，是因为SiN热导率差的问题吗。
如果起泡破掉的话会影响图形的。
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学海无涯，回头是岸。
4楼2019-01-18 13:50:35
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gyxzby

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

光刻胶出现玻璃态褶皱了么？如果溅射完成后光刻胶没有褶皱边缘形貌无异常的话，你可以排除温度过高问题。如果SiN有没有对你差别比较大的话，你要考虑等离子体会产生大量紫外线，将对作为掩模的光刻胶产生二次曝光作用，曝光过程产生的氮气密封于光刻胶中从而在光刻胶内外形成压强差。一般光刻胶的水分和曝光不完全会有这种情况出现吧。给你篇文献，你查查看看对比一下：感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶掩模的异常性
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5楼2019-01-23 17:33:32
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