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liqianliwi

木虫 (职业作家)

[求助] 磁控溅射法制备ZnO薄膜的过程中通入氢气有哪些需要注意的?已有1人参与

如题:利用磁控溅射法制备ZnO薄膜,靶材是ZnO靶,基底温度在300~500度,通入两路气体:一路高纯氩,一路氢氩混合气(氢气10%)。

类似的薄膜制备实验有虫友做过吗,主要是在磁控溅射镀膜中引入氢气?

整个镀膜过程有哪些需要注意的?

怎样提高安全性?

金币很多,请踊跃解答,谢谢!!!

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我不懂什么叫坚持,全靠死撑!
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chichister

金虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by liqianliwi at 2018-03-18 08:54:35
ZnO中掺杂H可以改变其发光性能
...

能给给参考文献吗,谢谢。另外我想问下你用的是什么靶材
似水流年等闲过...
13楼2019-06-17 13:26:06
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ytusnow

新虫 (小有名气)

2楼2018-03-18 08:50:00
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liqianliwi

木虫 (职业作家)

引用回帖:
2楼: Originally posted by ytusnow at 2018-03-18 08:50:00
为什么要通H2

ZnO中掺杂H可以改变其发光性能

发自小木虫Android客户端
我不懂什么叫坚持,全靠死撑!
3楼2018-03-18 08:54:35
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stage辉辉

新虫 (正式写手)

我有知道用mocvd生长zno薄膜。没用磁控溅射整过。你溅射多厚?

发自小木虫Android客户端
4楼2018-03-18 10:17:47
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