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lmyliu1993新虫 (小有名气)
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[求助]
求助！铝硅合金同成分不同铸造方式，Mn析出大不一样已有1人参与
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第一次发求助帖，真的是万不得已，求大神们帮忙！我自己金币不多，这是我全部家当，一点心意。 问题1： 成分： Castings Al Si Fe Mn Mg Ti Sr A3-HPVD bal. 10.1 0.18 0.50 0.55 0.06 0.012 A3-PM bal. 10.1 0.20 0.50 0.59 0.06 0.011 HPVD就是高压真空铸造，PM就是常压重力铸造 电导：HPVD-铸态<PM-铸态 硬度：HPVD-铸态>PM-铸态 自解析：因为HPVD冷却速度快，过饱和度高，所以固溶强化加上晶粒强化 固溶条件：500度3h 电导：HPVD-固溶>PM-固溶 硬度：HPVD-固溶<PM-固溶 自解析：Mn弥散相析出，但是腐蚀后，几乎看不到HPVD的弥散相析出，PM却很多弥散相，后认为是HPVD晶界多导致Mn往晶界析出或者往共晶体的Al(Si,Mn)Fe相析出。SEM-EDS测了Mn/Fe比，两者的铸态和固溶态差值，PM(Mn/Fe)提高了11%，HPVD提高了6% 诉求：什么导致电导升高？ 问题2： 又研究了一个材料A5，铸造方式：HPVD，Si=7,Mg=0.3.其他一致。 A5在固溶后，Mn弥散相很多，三者之最。如果问题1是由晶界多少解释，那么问题2怎么解释?(A5也是属于和A3-HPVD一样晶粒很细的） 问题3： 我课题是研究冷却敏感度。 固溶-中低温等温保温-淬火-时效 所有情况一致的情况下，A3-PM比A3-HPVD 析出更多的Mg2Si-B'，而且更宽（如图1-HPVD，2-PM） 图三也是HPVD。 A3HPVD几乎不怎么析出,但是其晶界有颗粒Mg2Si析出。A3-PM 很难找到晶界，晶粒尺寸太大。 什么导致了这么大的区别? 读文献看到有位错和空位的影响，说是固溶下空位多，但是慢冷却或者等温实验时，空位易往晶界扩散，所以HPVD整体空位浓度低，所以Mg2Si核心少，不倾向于在晶内形核，反而易在晶界形核。但是不知道这么大的差异，能不能用这个理论解释，还有别的什么观点吗？ 求大师们指点一二，小女子真的黔驴技穷了。  Mg2Si-8.jpg  4k-Mg2Si-1.jpg  8k-Mg2Si-7.jpg |
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