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shxincui518

铜虫 (正式写手)

[交流] 【求助】非立方施加压力的结构优化!

我想用vasp计算下,施加压力的电子结构的变化,对非立方结构如何施加压力然后来结构优化,不知道怎么来实现,最好能提供个INCAR,谢谢!

[ Last edited by zeoliters on 2009-6-13 at 17:06 ]
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cuihang

铁杆木虫 (正式写手)

VASPer

★ ★ ★
shxincui518(金币+2,VIP+0):thanks for your help!
fegg7502(金币+1):thank you very much! 1-20 16:05
为什么不试试在INCAR中加上PSTRESS?
聪明人知道自己是傻子,傻子以为自己是聪明人
2楼2009-01-16 10:55:55
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lvjian8596

木虫 (小有名气)

★ ★ ★
shxincui518(金币+2):thanks for your help! 1-20 10:10
fegg7502(金币+1):thank you very much! 1-20 16:05
感觉只能手动改变晶格参数!
3楼2009-01-19 23:02:03
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shxincui518

铜虫 (正式写手)

★ ★
fegg7502(金币+2):鼓励交流! 1-21 23:35
改变晶格常数貌似有很多的弊端!对立方结构好说点,但对非立方结构,自我感觉不大容易实现。但看vasp的手册说不建议用PSTRESS。我想用PSTRESS。不知道有搞过的吗?
4楼2009-01-21 10:53:11
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sunray55

银虫 (小有名气)

★ ★ ★
zdhlover(金币+2,VIP+0):多谢,欢迎常来 2-4 23:02
shxincui518(金币+1,VIP+0):thanks for your help! 2-10 16:45
引用回帖:
Originally posted by shxincui518 at 2009-1-14 16:03:
我想用vasp计算下,施加压力的电子结构的变化,对非立方结构如何施加压力然后来结构优化,不知道怎么来实现,最好能提供个INCAR,谢谢!

对均匀施压常用的方法是xyz方向按百分比压,所以无论立方还是非立方都一样。
5楼2009-02-04 21:55:14
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wenxuan5788

金虫 (正式写手)

★ ★
fegg7502(金币+2,VIP+0):感谢交流 6-14 18:02
请问你非立方结构的poscar文件是怎么设置的?我要优化下面一个晶体结构,不知怎么设置poscar:
data_3D
_audit_creation_date              2009-02-10
_audit_creation_method            'Materials Studio'
_symmetry_space_group_name_H-M    'P1'
_symmetry_Int_Tables_number       1
_symmetry_cell_setting            triclinic
loop_
_symmetry_equiv_pos_as_xyz
  x,y,z
_cell_length_a                    7.2630
_cell_length_b                    7.2630
_cell_length_c                    11.5540
_cell_angle_alpha                 90.0000
_cell_angle_beta                  90.0000
_cell_angle_gamma                 120.0000
loop_
_atom_site_label
_atom_site_type_symbol
_atom_site_fract_x
_atom_site_fract_y
_atom_site_fract_z
_atom_site_U_iso_or_equiv
_atom_site_adp_type
_atom_site_occupancy
Gd1    Gd    0.16667   0.33333   0.12500   0.00000  Uiso   1.00
Gd2    Gd    0.16667   0.33333   0.62500   0.00000  Uiso   1.00
Gd3    Gd    0.16667   0.83333   0.12500   0.00000  Uiso   1.00
Gd4    Gd    0.16667   0.83333   0.62500   0.00000  Uiso   1.00
Gd5    Gd    0.66667   0.33333   0.12500   0.00000  Uiso   1.00
Gd6    Gd    0.66667   0.33333   0.62500   0.00000  Uiso   1.00
Gd7    Gd    0.66667   0.83333   0.12500   0.00000  Uiso   1.00
Gd8    Gd    0.66667   0.83333   0.62500   0.00000  Uiso   1.00
Gd9    Gd    0.33333   0.16667   0.37500   0.00000  Uiso   1.00
Gd10   Gd    0.33333   0.16667   0.87500   0.00000  Uiso   1.00
Gd11   Gd    0.33333   0.66667   0.37500   0.00000  Uiso   1.00
Gd12   Gd    0.33333   0.66667   0.87500   0.00000  Uiso   1.00
Gd13   Gd    0.83333   0.16667   0.37500   0.00000  Uiso   1.00
Gd14   Gd    0.83333   0.16667   0.87500   0.00000  Uiso   1.00
Gd15   Gd    0.83333   0.66667   0.37500   0.00000  Uiso   1.00
Gd16   Gd    0.83333   0.66667   0.87500   0.00000  Uiso   1.00
6楼2009-02-10 15:20:55
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tfh00

银虫 (小有名气)

★ ★
wuchenwf(金币+2,VIP+0):谢谢讨论 2-20 20:10
引用回帖:
Originally posted by wenxuan5788 at 2009-2-10 15:20:
请问你非立方结构的poscar文件是怎么设置的?我要优化下面一个晶体结构,不知怎么设置poscar:
data_3D
_audit_creation_date              2009-02-10
_audit_creation_method            'Materials Studio' ...

可以先到MS里面把对称性去掉,再导出
7楼2009-02-20 11:32:39
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calos818

木虫 (著名写手)

新人菜鸟

引用回帖:
Originally posted by tfh00 at 2009-02-20 11:32:39:
可以先到MS里面把对称性去掉,再导出

为何去掉对称性 ,在MS里面去掉对称性后,VASP还是能分析出POSCAR的对称性的啊,麻烦你解释下
8楼2011-03-09 10:17:39
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