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shxincui518铜虫 (正式写手)
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【求助】非立方施加压力的结构优化！
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我想用vasp计算下，施加压力的电子结构的变化，对非立方结构如何施加压力然后来结构优化，不知道怎么来实现，最好能提供个INCAR，谢谢！ [ Last edited by zeoliters on 2009-6-13 at 17:06 ] |
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fegg7502(金币+2,VIP+0):感谢交流 6-14 18:02
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请问你非立方结构的poscar文件是怎么设置的？我要优化下面一个晶体结构，不知怎么设置poscar： data_3D _audit_creation_date 2009-02-10 _audit_creation_method 'Materials Studio' _symmetry_space_group_name_H-M 'P1' _symmetry_Int_Tables_number 1 _symmetry_cell_setting triclinic loop_ _symmetry_equiv_pos_as_xyz x,y,z _cell_length_a 7.2630 _cell_length_b 7.2630 _cell_length_c 11.5540 _cell_angle_alpha 90.0000 _cell_angle_beta 90.0000 _cell_angle_gamma 120.0000 loop_ _atom_site_label _atom_site_type_symbol _atom_site_fract_x _atom_site_fract_y _atom_site_fract_z _atom_site_U_iso_or_equiv _atom_site_adp_type _atom_site_occupancy Gd1 Gd 0.16667 0.33333 0.12500 0.00000 Uiso 1.00 Gd2 Gd 0.16667 0.33333 0.62500 0.00000 Uiso 1.00 Gd3 Gd 0.16667 0.83333 0.12500 0.00000 Uiso 1.00 Gd4 Gd 0.16667 0.83333 0.62500 0.00000 Uiso 1.00 Gd5 Gd 0.66667 0.33333 0.12500 0.00000 Uiso 1.00 Gd6 Gd 0.66667 0.33333 0.62500 0.00000 Uiso 1.00 Gd7 Gd 0.66667 0.83333 0.12500 0.00000 Uiso 1.00 Gd8 Gd 0.66667 0.83333 0.62500 0.00000 Uiso 1.00 Gd9 Gd 0.33333 0.16667 0.37500 0.00000 Uiso 1.00 Gd10 Gd 0.33333 0.16667 0.87500 0.00000 Uiso 1.00 Gd11 Gd 0.33333 0.66667 0.37500 0.00000 Uiso 1.00 Gd12 Gd 0.33333 0.66667 0.87500 0.00000 Uiso 1.00 Gd13 Gd 0.83333 0.16667 0.37500 0.00000 Uiso 1.00 Gd14 Gd 0.83333 0.16667 0.87500 0.00000 Uiso 1.00 Gd15 Gd 0.83333 0.66667 0.37500 0.00000 Uiso 1.00 Gd16 Gd 0.83333 0.66667 0.87500 0.00000 Uiso 1.00 |
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