| 查看: 2007 | 回复: 3 | ||||
[求助]
计算缺陷形成能随费米能级变化时,费米能级的变化范围 已有3人参与
|
| 如题,因为LDA或GGA低估半导体带隙,那么费米能级的变化范围是取实验中的禁带宽度值还是取对应计算的值?相当部分的文献还是取实验值的,但也有文献取计算值,究竟哪一个会更加合理 |
» 收录本帖的淘帖专辑推荐
带电掺杂体系形成能 | vasp计算资料 |
» 猜你喜欢
2026年国自然面上资助率
已经有7人回复
微信指数没变化,科研之友没阅读
已经有17人回复
申请2027年材料/化学类博士
已经有5人回复
系统今天又提示维护了,估计离放榜不远了
已经有14人回复
你们的时间戳变了吗
已经有4人回复
小木虫看见有人已经知道结果了
已经有17人回复
今年的WR进展到哪一步了?
已经有9人回复
产物和副产物价值比较
已经有5人回复
时间戳他又来了
已经有17人回复
这个自发加氧反应的机理是什么?
已经有7人回复
zhangfrank
金虫 (正式写手)
- 应助: 178 (高中生)
- 金币: 660.2
- 散金: 226
- 红花: 53
- 帖子: 891
- 在线: 344.5小时
- 虫号: 2679423
- 注册: 2013-09-25
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II :电子结构

2楼2017-06-04 10:12:39
wuli8
荣誉版主 (知名作家)
…………
- 1ST强帖: 2
- 应助: 35 (小学生)
- 贵宾: 12.924
- 金币: 20192.4
- 散金: 15888
- 红花: 88
- 沙发: 4
- 帖子: 7840
- 在线: 1114.6小时
- 虫号: 465889
- 注册: 2007-11-23
- 专业: 物理学I
- 管辖: 计算模拟

3楼2017-06-04 11:41:53
4楼2017-06-04 13:09:16











回复此楼