| 查看: 1901 | 回复: 3 | ||||
[求助]
计算缺陷形成能随费米能级变化时，费米能级的变化范围 已有3人参与
|
| 如题，因为LDA或GGA低估半导体带隙，那么费米能级的变化范围是取实验中的禁带宽度值还是取对应计算的值？相当部分的文献还是取实验值的，但也有文献取计算值，究竟哪一个会更加合理 |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 带电掺杂体系形成能 | vasp计算资料 |
» 猜你喜欢
材料与化工（0856）304求 B区 调剂
已经有3人回复
-
268求调剂
已经有8人回复
-
265求调剂
已经有14人回复
-
350 本科985求调剂，求老登收留
已经有3人回复
-
【考研调剂】化学专业 281分，一志愿四川大学，诚心求调剂
已经有9人回复
-
初试 317
已经有3人回复
-
279分求调剂 一志愿211
已经有15人回复
-
286求调剂
已经有4人回复
-
279求调剂
已经有4人回复
-
求调剂
已经有3人回复
zhangfrank
金虫 (正式写手)
- 应助: 178 (高中生)
- 金币: 660.2
- 散金: 226
- 红花: 53
- 帖子: 891
- 在线: 344.5小时
- 虫号: 2679423
- 注册: 2013-09-25
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
2楼2017-06-04 10:12:39
wuli8
荣誉版主 (知名作家)
…………
- 1ST强帖: 2
- 应助: 35 (小学生)
- 贵宾: 12.924
- 金币: 20190.4
- 散金: 15888
- 红花: 88
- 沙发: 4
- 帖子: 7840
- 在线: 1114.6小时
- 虫号: 465889
- 注册: 2007-11-23
- 专业: 物理学I
- 管辖: 计算模拟
3楼2017-06-04 11:41:53
4楼2017-06-04 13:09:16
