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secularme

木虫 (初入文坛)

[求助] 计算缺陷形成能随费米能级变化时,费米能级的变化范围 已有3人参与

如题,因为LDA或GGA低估半导体带隙,那么费米能级的变化范围是取实验中的禁带宽度值还是取对应计算的值?相当部分的文献还是取实验值的,但也有文献取计算值,究竟哪一个会更加合理
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带电掺杂体系形成能 vasp计算资料

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zhangfrank

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

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这个问题我以前看论文也思考过。我感觉应该是用LDA GGA算的时候,就用自己算的gap才有道理。
用lda计算,但是用实验的bandgap总觉得是无稽之谈。
但是的确很多文章有用实验的gap值,虽然文章是顺利发表很多人引用,但是我就觉得很不严谨不靠谱。
一家之谈欢迎讨论
计算顺利点吧
2楼2017-06-04 10:12:39
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wuli8

荣誉版主 (知名作家)

…………

优秀版主优秀版主

【答案】应助回帖

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用HSE算吧,这样文章档次会高一点。PBE太low了
…………
3楼2017-06-04 11:41:53
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lison4

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

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我看很多文章虽然用的是实验值,但是在区间内还是把计算的CBM用竖线画出来了的,可能这样能够方便对比吧

发自小木虫IOS客户端
4楼2017-06-04 13:09:16
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