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计算缺陷形成能随费米能级变化时，费米能级的变化范围 已有3人参与
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| 如题，因为LDA或GGA低估半导体带隙，那么费米能级的变化范围是取实验中的禁带宽度值还是取对应计算的值？相当部分的文献还是取实验值的，但也有文献取计算值，究竟哪一个会更加合理 |
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 带电掺杂体系形成能 | vasp计算资料 |
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4楼2017-06-04 13:09:16
zhangfrank
金虫 (正式写手)
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2楼2017-06-04 10:12:39
wuli8
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3楼2017-06-04 11:41:53