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如何计算离子吸附 已有1人参与
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请教一下 如果想做离子（OH-）在表面的吸附 DFT计算 什么软件可以实现呢 我只见过电中性原子吸附 问了一个大牛 说在MS中可以整体带电 不可以局部带电 这个意思就是不可以计算离子对吗 谢谢大家 那么什么软件可以实现呀 求助求助 发自小木虫Android客户端 |
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做吸附 vasp Gaussian MS都可以做的 只要把oh放在表面上让后整体带一个负电荷机就可以了 其它的和做非吸附的一样 还有如果用MS的话 基组可能要用加了弥散函数的dnp+基组 因为这种基组适合弱相互作用 带负电的体系 发自小木虫IOS客户端 |
2楼2017-04-29 10:28:21
【答案】应助回帖
感谢参与，应助指数 +1
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我觉得首先你要确定是不是想做带电的OH吸附。中性的OH分子吸附在金属或氧化物表面的时候，由于OH的电负性高，电子会从金属表面转移到OH，形成离子键。因此实际上你得到的就是OH负离子，这个可以通过charge difference plot来确认。 DFT中做带电体系的话，由于结构的周期性，这部分多余电荷的静电能在积分的时候会造成能量的diverge,所以实际计算中，会加一个back ground charge来抵消这个多余的电荷。以上是bulk的情况，做surface的时候由于有真空层，情况会更复杂，计算可能不收敛。 我不清楚你的具体体系，但我认为你还是确认一下是要做OH-的吸附，还是中性OH和surface形成离子键。 发自小木虫IOS客户端 |
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paigu19947楼2017-04-30 01:30:05
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离子吸附和中性结果是不相同的。这两种情况的稳定性应该有体系的电极电势决定，电极电势足够高才有可能将OH-氧化，此时OH穿越双电层的时候就失去电子了。同时得伴随另外一极发生还原过程。除非你确定伴有这样的电化学过程才考虑。 反而我觉得溶剂化效应一定要考虑，从连续介质模型看，因为屏蔽作用，单独的电荷更容易局域到原子上而不是弥散到溶剂或者真空区域，这对于离子的稳定性来说是不同的。目前MS根本没有能够很好处理表面的溶剂化方法，Dmol的cosmo并非对所有元素都有溶剂化半径的定义。目前比较常规的不依赖溶剂化半径的连续介质方法，你可以使用vaspsol和quantum espresso 的environ插件。 所以总体而言用qe会方便些。 [ 发自手机版 http://muchong.com/3g ] |
13楼2017-05-01 10:17:49
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