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newton3915

铁杆木虫 (正式写手)

[求助] exciton binding energy 已有1人参与

对于某间接带隙半导体,其电子的直接跃迁(同一K点)产生的激子的binding energy是不是要比间接跃迁(不同k点,phonon assisted)产生的激子的binding ernergy要大?有没有相关文献证明?
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newton3915

铁杆木虫 (正式写手)

引用回帖:
8楼: Originally posted by lvyan307 at 2017-03-19 17:33:12
如果没有进一步的计算,怎么符合实验就怎么说喽,可以说束缚能也在0.5左右,毕竟有其它点的计算作为参考,可以说小于0.5,因为一般束缚能随能隙的减小而减小,比如可以参考附件的文章,虽然不是完全符合你的情况。...

多谢。
9楼2017-03-20 03:27:32
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lvyan307

金虫 (小有名气)

★ ★
newton3915(漫天飘雪代发): 金币+2, 谢谢交流 2017-03-18 08:44:26
经常能得到这样的结果,因为通常激子束缚能随能隙增加而增加  当然  也不是都这样  和具体能带和电荷分布有关

发自小木虫IOS客户端
2楼2017-03-18 01:10:38
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newton3915

铁杆木虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by lvyan307 at 2017-03-18 01:10:38
经常能得到这样的结果,因为通常激子束缚能随能隙增加而增加  当然  也不是都这样  和具体能带和电荷分布有关

如果不考虑带隙的大小呢,假设相同带隙大小的直接带隙和间接带隙半导体,有没有一个这样的规律。
3楼2017-03-18 03:00:39
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lvyan307

金虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by newton3915 at 2017-03-18 03:00:39
如果不考虑带隙的大小呢,假设相同带隙大小的直接带隙和间接带隙半导体,有没有一个这样的规律。...

如果是相同带隙并且能带形状和分布基本相同的两种材料,直接带隙的半导体对应的束缚能大,好比能带有谷简并的材料,谷内跃迁对应的激子束缚能大,谷间的小。
4楼2017-03-18 13:04:42
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