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newton3915铁杆木虫 (正式写手)
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| 对于某间接带隙半导体，其电子的直接跃迁（同一K点）产生的激子的binding energy是不是要比间接跃迁（不同k点，phonon assisted）产生的激子的binding ernergy要大？有没有相关文献证明？ |
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lvyan307
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【答案】应助回帖
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newton3915: 金币+18, ★★★★★最佳答案 2017-03-20 03:27:30
newton3915: 金币+18, ★★★★★最佳答案 2017-03-20 03:27:30
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如果没有进一步的计算，怎么符合实验就怎么说喽，可以说束缚能也在0.5左右，毕竟有其它点的计算作为参考，可以说小于0.5，因为一般束缚能随能隙的减小而减小，比如可以参考附件的文章，虽然不是完全符合你的情况。 |
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2017-03-19 17:32:14, 327.19 K
8楼2017-03-19 17:33:12
lvyan307
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newton3915(漫天飘雪代发): 金币+2, 谢谢交流 2017-03-18 08:44:26
newton3915(漫天飘雪代发): 金币+2, 谢谢交流 2017-03-18 08:44:26
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经常能得到这样的结果，因为通常激子束缚能随能隙增加而增加 当然 也不是都这样 和具体能带和电荷分布有关 发自小木虫IOS客户端 |
2楼2017-03-18 01:10:38
newton3915
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3楼2017-03-18 03:00:39
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4楼2017-03-18 13:04:42