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newton3915

铁杆木虫 (正式写手)

[求助] exciton binding energy 已有1人参与

对于某间接带隙半导体，其电子的直接跃迁（同一K点）产生的激子的binding energy是不是要比间接跃迁（不同k点，phonon assisted）产生的激子的binding ernergy要大？有没有相关文献证明？
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1楼 2017-03-14 23:23:14
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newton3915

铁杆木虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by lvyan307 at 2017-03-18 01:10:38
经常能得到这样的结果，因为通常激子束缚能随能隙增加而增加  当然  也不是都这样  和具体能带和电荷分布有关

如果不考虑带隙的大小呢，假设相同带隙大小的直接带隙和间接带隙半导体，有没有一个这样的规律。
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3楼2017-03-18 03:00:39
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lvyan307

金虫 (小有名气)
★ ★
newton3915(漫天飘雪代发): 金币+2, 谢谢交流 2017-03-18 08:44:26
经常能得到这样的结果，因为通常激子束缚能随能隙增加而增加  当然  也不是都这样  和具体能带和电荷分布有关

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2楼2017-03-18 01:10:38
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lvyan307

金虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by newton3915 at 2017-03-18 03:00:39
如果不考虑带隙的大小呢，假设相同带隙大小的直接带隙和间接带隙半导体，有没有一个这样的规律。...

如果是相同带隙并且能带形状和分布基本相同的两种材料，直接带隙的半导体对应的束缚能大，好比能带有谷简并的材料，谷内跃迁对应的激子束缚能大，谷间的小。
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4楼2017-03-18 13:04:42
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newton3915

铁杆木虫 (正式写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by lvyan307 at 2017-03-18 13:04:42
如果是相同带隙并且能带形状和分布基本相同的两种材料，直接带隙的半导体对应的束缚能大，好比能带有谷简并的材料，谷内跃迁对应的激子束缚能大，谷间的小。...

谢谢回复，我现在知道一个间接带隙半导体的光吸收谱，从上面得到了它的间接带隙为3.0eV， 直接激发的带隙为3.5eV. 通过BSE的计算得到了半导体的激子束缚能为0.5eV。那么它的直接激发的fundamental gap应该是3.5+0.5=4eV。但是不知道能不能说它的间接激发的fundamental gap为3.0+0.5=3.5eV。根据你的理解，这个间接带隙应该要小于3.5eV，是吧？ 我觉得应该是小于3.5eV，但是不知道从原理上怎么理解。
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5楼2017-03-18 13:36:28
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