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【交流】优化结构
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vasp优化结构，一般在INCAR中设置ENCUT，EDIFF，EDIFFG，ISMEAR，IBRION，NSW。e.g. ENCUT = 350 EDIFF = 1E-5 ISMEAR = 0 SIGMA = 0.1 NSW = 40 IBRION = 2 EDIFFG = -1E-2 （此处设置了力的判断，如果采用能量将会收敛快很多。但是一般认为用力判断能更好的得到最稳结构） MS优化结构，应该是选择一个fine的精度，然后选择下自己所用的势（多选几个比较下效果:-)），其他默认，基本就差不多可以做下去了。 一般，认为截断能越大，k点设置越多，收敛精度越高，收敛会越慢，但是准确度不一定越高。因此有必要做一些此类参数的测试。一般会这些参数大概会有个能量收敛的趋势。就是设置到某个临界参数，能量几乎变化很小。而参数再增加，只是增加计算量，而准确度没有变化。 对于比较大很难优化的周期体系，一般建议是采用 1 1 1的k点先做一个优化，取得一个合理的初步结果，然后采用大一点的k点设置进行计算。可能结构优化速度会快很多。一个朋友计算过一个大体系，发现结合两者的方法（1周）比直接采用后者的方法（4周）节省了3周。 另外也可以采用先用一个低等的精度做一个预优化，然后高点精度的参数设置进行优化。 做结构优化是做计算的必做任务。大家有什么好的经验一起讨论下，一起进步下:-) [ Last edited by csfn on 2008-12-19 at 12:04 ] |
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 第一性原理 | VASP |
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2楼2008-12-18 20:39:26
3楼2008-12-19 07:49:59
6楼2008-12-19 11:00:25
7楼2008-12-19 13:59:42
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fegg7502(金币+3,VIP+0):thanks
fegg7502(金币+3,VIP+0):thanks
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ismear 和 sigma一般是一起使用的。ISMEAR determines how the partial occupancies are set for each wavefunction。 ismear可以设置不同的值，对应不同的方法，具体见说明书。http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp/vasp/node133.html 1，对于半导体或者绝缘体 设置为 -5，如果单包很大，可以设置ismear等于0，sigma等于0.05 2，对于金属经常使用1和2，具体sigma值要测试，一般可以设置0.2试试。1和2不要对半导体和绝缘体使用。 3，如果要更准确计算能量或者dos，推荐采用ismear为-5. 以上三条是vasp guide的总结呵呵，应该还是不错的。 具体到自己所计算的体系，还是要灵活变通。如果结果和实际和文献报道相差太远，那么要做一些参数变化看看结果 |
8楼2008-12-19 16:10:19
9楼2008-12-19 17:40:52
10楼2008-12-19 22:56:22
11楼2008-12-20 09:27:06
12楼2008-12-20 09:43:07
13楼2008-12-20 14:07:15
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wuchenwf(金币+1):谢谢讨论 1-24 22:53
wuchenwf(金币+1):谢谢讨论 1-24 22:53
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有个问题本来想发帖讨论，在这正好搭贴请教一下。关于截断动能的优化，为什么要设置不同的ENCUT进行计算，以得到一个所谓较好的值（判断依据好像是总能变化在0.001eV）。是单纯从节省计算时间角度考虑么？否则的话直接取相对较大的ENCUT（ENMAX的1.3倍）不是可以省去优化ENCUT这一步了吗？但是假如为了优化ENCUT做了6次计算，而且有的ENCUT设置到很大，那么为了优化ENCUT所花费的时间好像和所说的以适当ENCUT值做后面的性质计算所节省的时间也差不多吧？是不是后面所做的结构优化或者性质计算里参数改变的计算次数很多？或者有什么更细节的步骤，希望大家能够不吝赐教。 |
14楼2008-12-20 14:58:40
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fegg7502(金币+2,VIP+0):thanks
fegg7502(金币+2,VIP+0):thanks
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SIGMA should be as large as possible keeping the difference between the free energy and the total energy (i.e. the term ' entropy T*S') in the OUTCAR file negligible (1 meV/atom). 主要是对于ismear设置为大于0的数字的时候，需要做测试。变化sigma从0.01到0.2等系列值，然后对应每个sigma值看outcar中 entropy T*S 的值，小于1 meV/atom即可。 |
15楼2008-12-20 15:03:16
16楼2008-12-20 15:06:52
17楼2008-12-20 16:03:10
18楼2008-12-23 14:59:40
19楼2009-01-03 14:43:14
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2008-12-19 08:38
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fegg75025楼
2008-12-19 10:24
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