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【交流】优化结构
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vasp优化结构，一般在INCAR中设置ENCUT，EDIFF，EDIFFG，ISMEAR，IBRION，NSW。e.g. ENCUT = 350 EDIFF = 1E-5 ISMEAR = 0 SIGMA = 0.1 NSW = 40 IBRION = 2 EDIFFG = -1E-2 （此处设置了力的判断，如果采用能量将会收敛快很多。但是一般认为用力判断能更好的得到最稳结构） MS优化结构，应该是选择一个fine的精度，然后选择下自己所用的势（多选几个比较下效果:-)），其他默认，基本就差不多可以做下去了。 一般，认为截断能越大，k点设置越多，收敛精度越高，收敛会越慢，但是准确度不一定越高。因此有必要做一些此类参数的测试。一般会这些参数大概会有个能量收敛的趋势。就是设置到某个临界参数，能量几乎变化很小。而参数再增加，只是增加计算量，而准确度没有变化。 对于比较大很难优化的周期体系，一般建议是采用 1 1 1的k点先做一个优化，取得一个合理的初步结果，然后采用大一点的k点设置进行计算。可能结构优化速度会快很多。一个朋友计算过一个大体系，发现结合两者的方法（1周）比直接采用后者的方法（4周）节省了3周。 另外也可以采用先用一个低等的精度做一个预优化，然后高点精度的参数设置进行优化。 做结构优化是做计算的必做任务。大家有什么好的经验一起讨论下，一起进步下:-) [ Last edited by csfn on 2008-12-19 at 12:04 ] |
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 第一性原理 | VASP |
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相信不久会大有改观吧
3楼2008-12-19 07:49:59
★ ★ ★
fegg7502(金币+3,VIP+0):thanks
fegg7502(金币+3,VIP+0):thanks
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ismear 和 sigma一般是一起使用的。ISMEAR determines how the partial occupancies are set for each wavefunction。 ismear可以设置不同的值，对应不同的方法，具体见说明书。http://cms.mpi.univie.ac.at/vasp/vasp/node133.html 1，对于半导体或者绝缘体 设置为 -5，如果单包很大，可以设置ismear等于0，sigma等于0.05 2，对于金属经常使用1和2，具体sigma值要测试，一般可以设置0.2试试。1和2不要对半导体和绝缘体使用。 3，如果要更准确计算能量或者dos，推荐采用ismear为-5. 以上三条是vasp guide的总结呵呵，应该还是不错的。 具体到自己所计算的体系，还是要灵活变通。如果结果和实际和文献报道相差太远，那么要做一些参数变化看看结果 |
8楼2008-12-19 16:10:19
9楼2008-12-19 17:40:52
12楼2008-12-20 09:43:07
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fegg7502(金币+2,VIP+0):thanks
fegg7502(金币+2,VIP+0):thanks
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SIGMA should be as large as possible keeping the difference between the free energy and the total energy (i.e. the term ' entropy T*S') in the OUTCAR file negligible (1 meV/atom). 主要是对于ismear设置为大于0的数字的时候，需要做测试。变化sigma从0.01到0.2等系列值，然后对应每个sigma值看outcar中 entropy T*S 的值，小于1 meV/atom即可。 |
15楼2008-12-20 15:03:16
16楼2008-12-20 15:06:52