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lasterr

捐助贵宾 (初入文坛)

[求助] 请问反应离子刻蚀能否在常压下进行? 已有1人参与

刻蚀材料:Si,刻蚀气体:NF3+O2+Cl2
请问RIE为什么必须在低压下进行?有研究机构在研究常压RIE,这种可行性有多大?
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15190052720

新虫 (正式写手)

我们只有常压等离子。常压蚀刻还没涉及到。

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2楼2016-12-20 13:44:17
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15190052720

新虫 (正式写手)

目前常压使用气体也就氧气,氩气,氮气。

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3楼2016-12-20 13:50:27
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lasterr

捐助贵宾 (初入文坛)

你们的等离子是用于半导体的吗

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4楼2016-12-20 19:39:23
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
可行性是有,但是没搞懂它的应用意义在哪里?
如果需要进行非常精密的刻蚀工艺,那么对气体的纯度和流量都有很高的要求,否则刻蚀的过程就是不可控的。要达到这个目的,就必须先将反应腔室抽真空,然后再充入反应气体,在一定的流量和气压下起辉产生plasma。所以,无论上常压还是低压,都需要先抽真空将腔室抽干净,然后再继续工艺。即使有load lock,那么也需要在反应完成后,将腔室抽干净,再充入新的反应气体,否则会影响下一次刻蚀。所以看不到常压的优势在哪里。
常压等离子体的优势是能够在大气环境中使用,那么由于大气环境中存在氧,氮,二氧化碳,水,等气体,刻蚀过程的反应复杂且可控性差。所以很难在高端应用上做常压开放的RIE,常压的最大用途就是表面处理和清洗。
5楼2016-12-22 12:31:25
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义柳如烟

木虫 (小有名气)

请问楼主要刻出什么样的形貌呢?

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good,better,best
6楼2016-12-28 11:00:28
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