| 查看: 943 | 回复: 5 | ||||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | ||||
[求助]
请问反应离子刻蚀能否在常压下进行？ 已有1人参与
|
||||
|
刻蚀材料：Si，刻蚀气体：NF3+O2+Cl2 请问RIE为什么必须在低压下进行？有研究机构在研究常压RIE，这种可行性有多大？ |
回复此楼» 猜你喜欢
求助一篇MEMS散热器件文献
已经有0人回复
-
材化专业SCI论文（职称评定）
已经有0人回复
-
无机化学论文润色/翻译怎么收费?
已经有298人回复
-
材料化学专业SCI论文（职称评定）
已经有0人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 消除催化零回复，感谢虫友来交流(三）
已经有13人回复
4楼2016-12-20 19:39:23
15190052720
新虫 (正式写手)
- 应助: 3 (幼儿园)
- 金币: 44.8
- 散金: 110
- 红花: 5
- 帖子: 594
- 在线: 51.6小时
- 虫号: 4998076
- 注册: 2016-09-09
- 性别: GG
- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
2楼2016-12-20 13:44:17
15190052720
新虫 (正式写手)
- 应助: 3 (幼儿园)
- 金币: 44.8
- 散金: 110
- 红花: 5
- 帖子: 594
- 在线: 51.6小时
- 虫号: 4998076
- 注册: 2016-09-09
- 性别: GG
- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
3楼2016-12-20 13:50:27
yswyx 
专家顾问 (著名写手)
-
专家经验: +651 - MN-EPI: 8
- 应助: 807 (博后)
- 贵宾: 0.204
- 金币: 2618.9
- 散金: 6018
- 红花: 112
- 帖子: 2705
- 在线: 577.8小时
- 虫号: 446878
- 注册: 2007-10-30
- 性别: GG
- 专业: 半导体微纳机电器件与系统
- 管辖: 微米和纳米
【答案】应助回帖
感谢参与，应助指数 +1
|
可行性是有，但是没搞懂它的应用意义在哪里？ 如果需要进行非常精密的刻蚀工艺，那么对气体的纯度和流量都有很高的要求，否则刻蚀的过程就是不可控的。要达到这个目的，就必须先将反应腔室抽真空，然后再充入反应气体，在一定的流量和气压下起辉产生plasma。所以，无论上常压还是低压，都需要先抽真空将腔室抽干净，然后再继续工艺。即使有load lock，那么也需要在反应完成后，将腔室抽干净，再充入新的反应气体，否则会影响下一次刻蚀。所以看不到常压的优势在哪里。 常压等离子体的优势是能够在大气环境中使用，那么由于大气环境中存在氧，氮，二氧化碳，水，等气体，刻蚀过程的反应复杂且可控性差。所以很难在高端应用上做常压开放的RIE，常压的最大用途就是表面处理和清洗。 |
5楼2016-12-22 12:31:25
100