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lasterr

捐助贵宾 (初入文坛)

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[求助] 请问反应离子刻蚀能否在常压下进行？已有1人参与

刻蚀材料：Si，刻蚀气体：NF3+O2+Cl2
请问RIE为什么必须在低压下进行？有研究机构在研究常压RIE，这种可行性有多大？

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1楼 2016-12-20 13:28:07

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

yswyx

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【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1

可行性是有，但是没搞懂它的应用意义在哪里？
如果需要进行非常精密的刻蚀工艺，那么对气体的纯度和流量都有很高的要求，否则刻蚀的过程就是不可控的。要达到这个目的，就必须先将反应腔室抽真空，然后再充入反应气体，在一定的流量和气压下起辉产生plasma。所以，无论上常压还是低压，都需要先抽真空将腔室抽干净，然后再继续工艺。即使有load lock，那么也需要在反应完成后，将腔室抽干净，再充入新的反应气体，否则会影响下一次刻蚀。所以看不到常压的优势在哪里。
常压等离子体的优势是能够在大气环境中使用，那么由于大气环境中存在氧，氮，二氧化碳，水，等气体，刻蚀过程的反应复杂且可控性差。所以很难在高端应用上做常压开放的RIE，常压的最大用途就是表面处理和清洗。