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有关MOCVD生长GaN工艺问题 已有1人参与
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蓝宝石衬底上外延GaN典型的生长工艺：衬底在H2中热处理的温度和时间分别为1100℃、10min;缓冲层生长温度为620℃，生长时间为110s；缓冲层生长完成后衬底温度在10min内升至外延层生长温度（1060℃-1100℃）；外延层生长过程中，Ga源的流量为54μmol/min，氨气为4.0L/min。缓冲层与外延层的生长压力均为760Torr。材料生长完成后，外延层以1℃/s的速度将至900℃，然后随炉冷却至室温。 请问：1、为什么一开始要对Al2O3进行热处理？ 2、为什么要在10分钟内升至外延层生长温度（1060℃-1100℃）？ 3、为什么要在材料生长完成后，外延层以1℃/s的速度将至900℃？然后随炉冷却至室温？@jackdeng |
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