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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 晶体 » 基础理论 » 有关MOCVD生长GaN工艺问题
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仰望天花板

新虫 (小有名气)

[求助] 有关MOCVD生长GaN工艺问题 已有1人参与

蓝宝石衬底上外延GaN典型的生长工艺：衬底在H2中热处理的温度和时间分别为1100℃、10min;缓冲层生长温度为620℃，生长时间为110s；缓冲层生长完成后衬底温度在10min内升至外延层生长温度（1060℃-1100℃）；外延层生长过程中，Ga源的流量为54μmol/min，氨气为4.0L/min。缓冲层与外延层的生长压力均为760Torr。材料生长完成后，外延层以1℃/s的速度将至900℃，然后随炉冷却至室温。
请问：1、为什么一开始要对Al2O3进行热处理？
          2、为什么要在10分钟内升至外延层生长温度（1060℃-1100℃）？
          3、为什么要在材料生长完成后，外延层以1℃/s的速度将至900℃？然后随炉冷却至室温？@jackdeng
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1楼 2016-12-08 22:33:31
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白天不懂黑夜

捐助贵宾 (著名写手)
我们刚做了几台PECVD，可以交流交流啊
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2楼2016-12-15 16:40:24
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DDQ01

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

1、为什么一开始要对Al2O3进行热处理？
是H2处理，对衬底进行表面清洁
2、为什么要在10分钟内升至外延层生长温度（1060℃-1100℃）？
10min是加热功率决定的，大概需要10min，不是说，必须10min。
3、为什么要在材料生长完成后，外延层以1℃/s的速度将至900℃？然后随炉冷却至室温？
基本没有影响，直接降温就可以。
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3楼2016-12-19 16:44:45
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