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【[求助】关于椭偏仪测量多晶硅基底上的SiN薄膜
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小弟刚进一家光伏企业，单位准备做多晶硅电池，小弟分到镀膜工艺上（SiN减反膜），单位上测量薄膜厚度和折射率都是用SE400椭偏仪。在用多晶硅做基底时，选择仪器数据库里的基底（substrate）时，多晶硅基底有一下几个选项： polysilicon（P-silicon）540摄氏度 polysilicon（P-silicon）620摄氏度 polysilicon（P-silicon）900摄氏度 polysilicon（P-silicon）as doped polysilicon（P-silicon）porous， 请问用于电池的多晶应该选择那个？这个温度是什么意思？是生长制备条件？还是退火？还是其它？ 由于不同的选项，基底的折射和消光都步一样，错误的选择会影响测量结果。请教高人应该选啥！ 另外：小弟刚来单位试用就赶上金融危机，裁员线上挣扎，晚上11点下班，在线求！还望高手不吝赐教！ [ Last edited by ddx-k on 2008-12-24 at 20:05 ] |
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 光学工程 工艺 参数 | 椭偏测量 |
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wzyong123
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椭偏仪介绍
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ddx-k(金币+1,VIP+0):谢谢参与！
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Ellipsometry Overview Ellipsometry Overview.pdf 这是一家制造公司给的部分说明，希望对应用椭偏仪的同志有些帮助。 另外：需找使用椭偏仪分析薄膜性质的战友。QQ154709995 [ Last edited by wzyong123 on 2008-12-6 at 20:58 ] |
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