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likehoo11

铜虫 (小有名气)

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[交流] 【[求助】关于椭偏仪测量多晶硅基底上的SiN薄膜

小弟刚进一家光伏企业，单位准备做多晶硅电池，小弟分到镀膜工艺上（SiN减反膜），单位上测量薄膜厚度和折射率都是用SE400椭偏仪。在用多晶硅做基底时，选择仪器数据库里的基底（substrate）时，多晶硅基底有一下几个选项：

                           polysilicon（P-silicon）540摄氏度
                           polysilicon（P-silicon）620摄氏度
                           polysilicon（P-silicon）900摄氏度
                           polysilicon（P-silicon）as doped
                           polysilicon（P-silicon）porous，
请问用于电池的多晶应该选择那个？这个温度是什么意思？是生长制备条件？还是退火？还是其它？
由于不同的选项，基底的折射和消光都步一样，错误的选择会影响测量结果。请教高人应该选啥！
   另外：小弟刚来单位试用就赶上金融危机，裁员线上挣扎，晚上11点下班，在线求！还望高手不吝赐教！

[ Last edited by ddx-k on 2008-12-24 at 20:05 ]

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光学工程工艺参数

椭偏测量

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1楼 2008-12-03 21:03:11

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ddx-k

荣誉版主 (著名写手)

骑士II

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★ ★ ★
zt970831(金币+3,VIP+0):感谢您的交流；pop区长会尽快把你转为见习版主

如果是太阳能电池的话，建议你去solarzoom网站上看看，那里不错，另外我觉的选什么衬底该与你前道工艺有关，比如如果你的多晶硅制绒比较厉害成了多孔硅那么就选多孔硅，如果是其他的可以适当调整。
另外，最主要的是关注减反射效果，椭偏仪可以测减反射效果的，减反射效果才是最主要的。而其你可以结合测电池的效率（量子效率）。最终衡量膜的好坏，因为SiN更重要的作用是钝化作用，要不然就用TiO2薄膜了。另外，我发给图片给你看看，可能对你有用，我最感兴趣的是你是哪家公司的？？？

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2楼2008-12-03 22:16:08

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wzyong123

木虫 (正式写手)

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专业: 凝聚态物性 II ：电子结构

椭偏仪介绍

★
ddx-k(金币+1,VIP+0):谢谢参与！

Ellipsometry Overview
Ellipsometry Overview.pdf
这是一家制造公司给的部分说明，希望对应用椭偏仪的同志有些帮助。
另外：需找使用椭偏仪分析薄膜性质的战友。QQ154709995

[ Last edited by wzyong123 on 2008-12-6 at 20:58 ]

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3楼2008-12-06 20:56:13

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