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likehoo11

铜虫 (小有名气)

[交流] 【[求助】关于椭偏仪测量多晶硅基底上的SiN薄膜

小弟刚进一家光伏企业,单位准备做多晶硅电池,小弟分到镀膜工艺上(SiN减反膜),单位上测量薄膜厚度和折射率都是用SE400椭偏仪。在用多晶硅做基底时,选择仪器数据库里的基底(substrate)时,多晶硅基底有一下几个选项:

                              polysilicon(P-silicon)540摄氏度
                              polysilicon(P-silicon)620摄氏度
                              polysilicon(P-silicon)900摄氏度
                              polysilicon(P-silicon)as doped
                               polysilicon(P-silicon)porous,
请问用于电池的多晶应该选择那个?这个温度是什么意思?是生长制备条件?还是退火?还是其它?
由于不同的选项,基底的折射和消光都步一样,错误的选择会影响测量结果。请教高人应该选啥!
     另外:小弟刚来单位试用就赶上金融危机,裁员线上挣扎,晚上11点下班,在线求!还望高手不吝赐教!

[ Last edited by ddx-k on 2008-12-24 at 20:05 ]
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光学工程 工艺 参数 椭偏测量

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ddx-k

荣誉版主 (著名写手)

骑士II

★ ★ ★
zt970831(金币+3,VIP+0):感谢您的交流;pop区长会尽快把你转为见习版主
如果是太阳能电池的话,建议你去solarzoom网站上看看,那里不错,另外我觉的选什么衬底该与你前道工艺有关,比如如果你的多晶硅制绒比较厉害成了多孔硅那么就选多孔硅,如果是其他的可以适当调整。
另外,最主要的是关注减反射效果,椭偏仪可以测减反射效果的,减反射效果才是最主要的。而其你可以结合测电池的效率(量子效率)。最终衡量膜的好坏,因为SiN更重要的作用是钝化作用,要不然就用TiO2薄膜了。另外,我发给图片给你看看,可能对你有用,我最感兴趣的是你是哪家公司的???
2楼2008-12-03 22:16:08
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wzyong123

木虫 (正式写手)

椭偏仪介绍


ddx-k(金币+1,VIP+0):谢谢参与!
Ellipsometry Overview
Ellipsometry Overview.pdf
这是一家制造公司给的部分说明,希望对应用椭偏仪的同志有些帮助。
另外:需找使用椭偏仪分析薄膜性质的战友。QQ154709995

[ Last edited by wzyong123 on 2008-12-6 at 20:58 ]
3楼2008-12-06 20:56:13
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