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MOCVD法制备氧化铝薄膜
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ashley_lj
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MOCVD法制备氧化铝薄膜
利用Al2O3作为阻变层,制备MIM结构忆阻器,试验中需要了解阻变特性,故来此求教,除了厚度、表面形貌及粗糙度、晶体中元素成分及比例、透射谱,还有没有其他实验需要去完善。
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2016-11-15 13:15:42
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王倩113251
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ashley_lj(金币+1): 谢谢参与
沉积的氧化铝,会不会存在一定的氧缺陷,这个建议楼主去做个电学测量吧。
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2016-11-15 13:17:28
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东逗豆
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ashley_lj(金币+1): 谢谢参与
楼主采用什么材料作为技术有机源?
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3楼
2016-11-15 13:24:22
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ashley_lj
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3楼
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东逗豆
at 2016-11-15 13:24:22
楼主采用什么材料作为技术有机源?
实验我是采用乙酰丙酮铝作为金属有机源,氧气作为氧化源,利用石英玻璃作为衬底,沉积了非晶及多晶两种Al2O3薄膜。
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4楼
2016-11-15 13:24:52
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kongkong俗
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楼主采用什么方法对材料进行表征的??
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2016-11-15 13:26:27
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kongkong俗
at 2016-11-15 13:26:27
楼主采用什么方法对材料进行表征的??
想都不要想的,肯定有XPS、AFM、透射谱。
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6楼
2016-11-15 14:24:17
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kiss拉拉拉拉
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楼上厉害。请问实验要不要用到台阶仪,做实验的时候总是有人要申报设备说需要。
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7楼
2016-11-15 15:24:57
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鱼肉粥
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台阶仪,科学指南针有,有需要的可以去预约使用。
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2016-11-15 16:11:47
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鱼肉粥
at 2016-11-15 16:11:47
台阶仪,科学指南针有,有需要的可以去预约使用。
需要的
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9楼
2016-11-15 16:12:37
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2016-12-14 09:56:40
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紫雾密语
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ashley_lj
at 2016-11-15 13:15:42
利用Al2O3作为阻变层,制备MIM结构忆阻器,试验中需要了解阻变特性,故来此求教,除了厚度、表面形貌及粗糙度、晶体中元素成分及比例、透射谱,还有没有其他实验需要去完善。
最高做一个电学测试,分析一下他的特性
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11楼
2018-03-16 23:34:20
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紫雾密语
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ashley_lj
at 2016-11-15 13:15:42
利用Al2O3作为阻变层,制备MIM结构忆阻器,试验中需要了解阻变特性,故来此求教,除了厚度、表面形貌及粗糙度、晶体中元素成分及比例、透射谱,还有没有其他实验需要去完善。
测一下IV
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12楼
2018-03-16 23:35:08
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