24小时热门版块排行榜    

查看: 1162  |  回复: 11

ashley_lj

新虫 (小有名气)


[交流] MOCVD法制备氧化铝薄膜

利用Al2O3作为阻变层,制备MIM结构忆阻器,试验中需要了解阻变特性,故来此求教,除了厚度、表面形貌及粗糙度、晶体中元素成分及比例、透射谱,还有没有其他实验需要去完善。
回复此楼

» 猜你喜欢

» 本主题相关价值贴推荐,对您同样有帮助:

» 抢金币啦!回帖就可以得到:

查看全部散金贴

已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

王倩113251

新虫 (小有名气)



ashley_lj(金币+1): 谢谢参与
沉积的氧化铝,会不会存在一定的氧缺陷,这个建议楼主去做个电学测量吧。
2楼2016-11-15 13:17:28
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

东逗豆

新虫 (初入文坛)



ashley_lj(金币+1): 谢谢参与
楼主采用什么材料作为技术有机源?
3楼2016-11-15 13:24:22
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

ashley_lj

新虫 (小有名气)


引用回帖:
3楼: Originally posted by 东逗豆 at 2016-11-15 13:24:22
楼主采用什么材料作为技术有机源?

实验我是采用乙酰丙酮铝作为金属有机源,氧气作为氧化源,利用石英玻璃作为衬底,沉积了非晶及多晶两种Al2O3薄膜。
4楼2016-11-15 13:24:52
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

kongkong俗

新虫 (小有名气)



ashley_lj(金币+1): 谢谢参与
楼主采用什么方法对材料进行表征的??
5楼2016-11-15 13:26:27
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

未成曲_调721

新虫 (小有名气)



ashley_lj(金币+1): 谢谢参与
引用回帖:
5楼: Originally posted by kongkong俗 at 2016-11-15 13:26:27
楼主采用什么方法对材料进行表征的??

想都不要想的,肯定有XPS、AFM、透射谱。
6楼2016-11-15 14:24:17
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

kiss拉拉拉拉

新虫 (小有名气)



ashley_lj(金币+1): 谢谢参与
楼上厉害。请问实验要不要用到台阶仪,做实验的时候总是有人要申报设备说需要。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
7楼2016-11-15 15:24:57
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

鱼肉粥

新虫 (初入文坛)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
台阶仪,科学指南针有,有需要的可以去预约使用。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
8楼2016-11-15 16:11:47
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

ashley_lj

新虫 (小有名气)


引用回帖:
8楼: Originally posted by 鱼肉粥 at 2016-11-15 16:11:47
台阶仪,科学指南针有,有需要的可以去预约使用。

需要的
9楼2016-11-15 16:12:37
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

匿名

用户注销 (小有名气)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
本帖仅楼主可见
10楼2016-12-14 09:56:40
已阅   申请MM-EPI   回复此楼   编辑   查看我的主页

紫雾密语

新虫 (初入文坛)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
引用回帖:
1楼: Originally posted by ashley_lj at 2016-11-15 13:15:42
利用Al2O3作为阻变层,制备MIM结构忆阻器,试验中需要了解阻变特性,故来此求教,除了厚度、表面形貌及粗糙度、晶体中元素成分及比例、透射谱,还有没有其他实验需要去完善。

最高做一个电学测试,分析一下他的特性

发自小木虫IOS客户端
11楼2018-03-16 23:34:20
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

紫雾密语

新虫 (初入文坛)


引用回帖:
1楼: Originally posted by ashley_lj at 2016-11-15 13:15:42
利用Al2O3作为阻变层,制备MIM结构忆阻器,试验中需要了解阻变特性,故来此求教,除了厚度、表面形貌及粗糙度、晶体中元素成分及比例、透射谱,还有没有其他实验需要去完善。

测一下IV
VTIT

发自小木虫IOS客户端
12楼2018-03-16 23:35:08
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 ashley_lj 的主题更新
普通表情 高级回复 (可上传附件)
信息提示
请填处理意见