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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 金属 » 表面处理 » MOCVD法制备氧化铝薄膜
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ashley_lj

新虫 (小有名气)

[交流] MOCVD法制备氧化铝薄膜

利用Al2O3作为阻变层，制备MIM结构忆阻器，试验中需要了解阻变特性，故来此求教，除了厚度、表面形貌及粗糙度、晶体中元素成分及比例、透射谱，还有没有其他实验需要去完善。
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1楼 2016-11-15 13:15:42
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紫雾密语

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
1楼: Originally posted by ashley_lj at 2016-11-15 13:15:42
利用Al2O3作为阻变层，制备MIM结构忆阻器，试验中需要了解阻变特性，故来此求教，除了厚度、表面形貌及粗糙度、晶体中元素成分及比例、透射谱，还有没有其他实验需要去完善。

测一下IV
VTIT

发自小木虫IOS客户端
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12楼2018-03-16 23:35:08
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王倩113251

新虫 (小有名气)
★
ashley_lj(金币+1): 谢谢参与
沉积的氧化铝，会不会存在一定的氧缺陷，这个建议楼主去做个电学测量吧。
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2楼2016-11-15 13:17:28
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东逗豆

新虫 (初入文坛)
★
ashley_lj(金币+1): 谢谢参与
楼主采用什么材料作为技术有机源？
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3楼2016-11-15 13:24:22
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ashley_lj

新虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 东逗豆 at 2016-11-15 13:24:22
楼主采用什么材料作为技术有机源？

实验我是采用乙酰丙酮铝作为金属有机源，氧气作为氧化源，利用石英玻璃作为衬底，沉积了非晶及多晶两种Al2O3薄膜。
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4楼2016-11-15 13:24:52
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