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强哥哥哥

新虫 (著名写手)

[求助] 光刻显影不干净什么原因? 已有4人参与

用的是AZ-5214E反转光刻胶,但是在显影的时候有胶残余,甚至一直在显影夜液中放两个小时,最后还是不干净。在PZT,PIMNT单晶上面甩的胶,表面不是很平整。改怎么改进实验?

@yswyx 发自小木虫Android客户端
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fdnh

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
以下观点仅供参考:
1.先确定光刻胶与显影液的匹配程度,即显影效果如何,是否在有效期等;
2.你在PZT,PIMNT单晶上匀胶时表面不平会造成光刻胶在基板上薄厚不一,这会对光刻过程产生影响;
3.不知道你是否需要在匀胶之后烘烤去除光刻胶里的溶剂,这样不平整也会有影响。
总之,你应该先把匀胶弄平整,再开展后续实验比较可靠一些。

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

2楼2016-10-19 15:49:17
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强哥哥哥

新虫 (著名写手)

送红花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by fdnh at 2016-10-19 15:49:17
以下观点仅供参考:
1.先确定光刻胶与显影液的匹配程度,即显影效果如何,是否在有效期等;
2.你在PZT,PIMNT单晶上匀胶时表面不平会造成光刻胶在基板上薄厚不一,这会对光刻过程产生影响;
3.不知道你是否需要在 ...

胶和显影液的匹配,过期,不存在问题。现在问题就是显影不干净,有些不管多长时间都显影不干净,主要想问这样的地方是什么原因造成的,

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3楼2016-10-19 18:16:29
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exciting73

金虫 (著名写手)


【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
预烘和反转烘胶温度和时间各是多少?分别减少一些试试。
4楼2016-10-19 22:31:37
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强哥哥哥

新虫 (著名写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by exciting73 at 2016-10-19 22:31:37
预烘和反转烘胶温度和时间各是多少?分别减少一些试试。

预烘用80s,反转烘3.5min,本来想预烘时间降低,但是降低的话掩模时候,片子直接顶起来粘在掩模版上了,我又担心是预烘时间过长最底部的胶预烘时就变性了。有没有什么好的建议?

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5楼2016-10-19 22:49:14
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exciting73

金虫 (著名写手)


【答案】应助回帖

引用回帖:
5楼: Originally posted by 强哥哥哥 at 2016-10-19 22:49:14
预烘用80s,反转烘3.5min,本来想预烘时间降低,但是降低的话掩模时候,片子直接顶起来粘在掩模版上了,我又担心是预烘时间过长最底部的胶预烘时就变性了。有没有什么好的建议?
...

把温度降低点,实际延长些试试
6楼2016-10-20 09:47:58
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强哥哥哥

新虫 (著名写手)

引用回帖:
6楼: Originally posted by exciting73 at 2016-10-20 09:47:58
把温度降低点,实际延长些试试...

好的,我试试

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7楼2016-10-20 10:40:04
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天海星云

新虫 (初入文坛)

我们用过这种胶,不过根据经验判断,1你应该用的是有机物显影液而非氢氧化钠之类的溶液;2你的显影容器如果是塑料或聚四氟之类材料的话,显影有残渣的现象会很明显;3,浸泡式显影比喷淋式显影,残渣现象更为明显

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8楼2016-10-20 20:40:26
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leimeng0207

新虫 (初入文坛)

黏住了说明你用的是厚胶,而且转速太低,导致胶厚度太大,这一步又会影响到最后的曝光,因为厚度增加,曝光的时常也需要增加!不是显影液的问题,显影液10秒钟就可以解决问题!

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9楼2016-10-21 14:46:46
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强哥哥哥

新虫 (著名写手)

引用回帖:
9楼: Originally posted by leimeng0207 at 2016-10-21 14:46:46
黏住了说明你用的是厚胶,而且转速太低,导致胶厚度太大,这一步又会影响到最后的曝光,因为厚度增加,曝光的时常也需要增加!不是显影液的问题,显影液10秒钟就可以解决问题!
...

我最高用过时是4000转,不过有些地方甩不上,我的片子是4*10mm的,而且是单晶PZT和PIMNT材料。

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10楼2016-10-21 15:19:00
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