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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术交流 » 光刻显影不干净什么原因？
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强哥哥哥

新虫 (著名写手)

[求助] 光刻显影不干净什么原因？已有4人参与

用的是AZ-5214E反转光刻胶，但是在显影的时候有胶残余，甚至一直在显影夜液中放两个小时，最后还是不干净。在PZT,PIMNT单晶上面甩的胶，表面不是很平整。改怎么改进实验？

@yswyx 发自小木虫Android客户端
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1楼2016-10-19 14:08:09
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强哥哥哥

新虫 (著名写手)
送红花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by fdnh at 2016-10-19 15:49:17
以下观点仅供参考：
1.先确定光刻胶与显影液的匹配程度，即显影效果如何，是否在有效期等；
2.你在PZT,PIMNT单晶上匀胶时表面不平会造成光刻胶在基板上薄厚不一，这会对光刻过程产生影响；
3.不知道你是否需要在 ...

胶和显影液的匹配，过期，不存在问题。现在问题就是显影不干净，有些不管多长时间都显影不干净，主要想问这样的地方是什么原因造成的，

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3楼2016-10-19 18:16:29
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fdnh

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
以下观点仅供参考：
1.先确定光刻胶与显影液的匹配程度，即显影效果如何，是否在有效期等；
2.你在PZT,PIMNT单晶上匀胶时表面不平会造成光刻胶在基板上薄厚不一，这会对光刻过程产生影响；
3.不知道你是否需要在匀胶之后烘烤去除光刻胶里的溶剂，这样不平整也会有影响。
总之，你应该先把匀胶弄平整，再开展后续实验比较可靠一些。
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强哥哥哥
2楼2016-10-19 15:49:17
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exciting73

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
预烘和反转烘胶温度和时间各是多少？分别减少一些试试。
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4楼2016-10-19 22:31:37
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强哥哥哥

新虫 (著名写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by exciting73 at 2016-10-19 22:31:37
预烘和反转烘胶温度和时间各是多少？分别减少一些试试。

预烘用80s,反转烘3.5min,本来想预烘时间降低，但是降低的话掩模时候，片子直接顶起来粘在掩模版上了，我又担心是预烘时间过长最底部的胶预烘时就变性了。有没有什么好的建议？

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5楼2016-10-19 22:49:14
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