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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术交流 » 光刻显影不干净什么原因？
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leimeng0207

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
10楼: Originally posted by 强哥哥哥 at 2016-10-21 15:19:00
我最高用过时是4000转，不过有些地方甩不上，我的片子是4*10mm的，而且是单晶PZT和PIMNT材料。
...

怕甩不上，就直接先低速凃敷均匀，再高速甩呗！或者直接先涂

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11楼2016-10-21 15:26:50
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强哥哥哥

新虫 (著名写手)
引用回帖:
11楼: Originally posted by leimeng0207 at 2016-10-21 15:26:50
怕甩不上，就直接先低速凃敷均匀，再高速甩呗！或者直接先涂
...

不是怕甩不上，而是不管怎么设置低速和高速，都会有甩不上的地方，因为没有做抛光。。表面不平整

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12楼2016-10-21 15:34:41
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强哥哥哥

新虫 (著名写手)
引用回帖:
11楼: Originally posted by leimeng0207 at 2016-10-21 15:26:50
怕甩不上，就直接先低速凃敷均匀，再高速甩呗！或者直接先涂
...

这是我显影5分钟后得到的图形
光刻显影不干净什么原因？



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13楼2016-10-21 15:36:20
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davidloo

禁虫 (职业作家)
本帖内容被屏蔽
14楼2016-10-23 12:34:23
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ameng391

新虫 (小有名气)
考虑把显影液加热一点显影 比如加到30℃ 40℃

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15楼2016-10-23 12:35:41
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强哥哥哥

新虫 (著名写手)
引用回帖:
14楼: Originally posted by davidloo at 2016-10-23 12:34:23
相同的工艺参数，拿硅片试一下，如果可以，说明基体的问题，如果不可以，说明是工艺参数还没有摸到位。。
5214很成熟的

我做的是plmnt晶体，而且没有抛光过，表面粗糙度很差，和硅片做出来结果肯定不一样啊

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16楼2016-10-23 15:57:55
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强哥哥哥

新虫 (著名写手)
引用回帖:
15楼: Originally posted by ameng391 at 2016-10-23 12:35:41
考虑把显影液加热一点显影 比如加到30℃ 40℃

这是什么原理？我试试。。

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17楼2016-10-23 15:58:18
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苏hzr

银虫 (小有名气)
是不是粘度太大了所以才甩不全，你涂的胶有多厚，显影不干净跟预烘温度和曝光量有很大关系的，可以考虑降低预烘温度，增加曝光量，慢慢调会找到合适工艺的，之前我也在不平的基体上做过实验，后来就找到合适的工艺了

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多少事，从来急，天地转，光阴迫，一万年太久，只争朝夕
18楼2016-10-31 11:04:44
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gyxzby

铜虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

光刻胶的前烘softbake过量，以及曝光后烘烤PEB过量，还有曝光能量不足可能导致你说的情况，毕竟你是过量显影时间，另外反转胶会不会在PEB的是后时间或温度不足引起化学扩大反应不足导致你说的情况也有可能
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19楼2016-11-14 22:30:32
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Mr_den

新虫 (初入文坛)
请问你用的显影液是什么，有配方吗？还有清洗液是什么？

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20楼2016-11-30 11:21:26
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