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andrew82chen

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[交流] 【请教】请教氮化硅减反射层

工艺:PECVD,印刷银浆后,再烧结
请问高人,氮化硅烧结前是否多孔结构,烧结后致密?有没有文献推荐一下,谢谢!

[ Last edited by ddx-k on 2008-12-4 at 15:13 ]
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ddx-k

荣誉版主 (著名写手)

骑士II

★ ★
zt970831(金币+2):感谢您的交流 1-30 21:56
一般都很致密,因为致密的膜折射率高,减反射效果好,其实烧结的时候银浆会透过膜与硅接触。
2楼2008-12-04 08:54:32
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stardom427

木虫 (著名写手)

★ ★
ddx-k(金币+0,VIP+0):看你写的专业是玻璃,但是你好像对电池工艺很熟悉啊。高手!
ddx-k(金币+2,VIP+0):回答很正确,里面涉及到共熔点的问题。
是致密层。。。。
烧结时,银浆中的玻璃粉会熔融,然后会高温腐蚀氮化硅,从而与硅片形成良好的欧姆接触。
3楼2008-12-04 09:28:50
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comeon213

问一下一楼:折射率不是接近2最好么?难道越高越好?
二楼的帮助很大,谢谢啊
4楼2009-01-30 11:45:39
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cord

铁杆木虫 (著名写手)


★ ★
musi429(金币+2):多谢答复,新年快乐~ 1-31 01:08
如果烧结的温度高到连玻璃粉都融化了,这个温度要上千度吧,这样的话,底下的PN结电池是不是已经受到破坏了。
在用于减反射层时氮化硅的折射率接近2好
5楼2009-01-30 23:45:47
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greenworm1233

链式烧结炉的温度在800~850之间,这个温度主要是依据形成铝背场的温度要求设定的。单纯正表面电极不需要这么高的温度。
6楼2009-02-07 14:37:20
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memser

PECVD SiNx一般温度是350°C,当后续工艺超过其沉积温度时,氮化硅薄膜会起泡、表面褶皱等,当然刻意调整沉积温度,我们用的OXford plasma system 100设备最高温度可为750,但是没有人弄的这么高的。如果条件容许,最好采用LPCVD,一般800-1000°C,薄膜致密得多,折射率一般超过2,PECVD的一般折射率1.97左右,很少超过2(折射率大小针对6328nm波长而言)
7楼2009-02-07 20:01:30
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memser

P.S. 没弄清楚你的用途,怎么又要用减反射,如果那样,作为减反射膜。不光和膜的折射率有关,和膜的厚度也有关。如果你只是采用单层薄膜作为减反射膜话,那么最理想的单层减反射膜的条件是:膜的光学厚度(不是物理厚度)应为你系统参考波长的1/4整数倍,膜的折射率为入射介质折射率和出射介质折射率乘积的平方根。
8楼2009-02-07 20:10:43
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健康2008

新虫 (初入文坛)

氮化硅的减反效果不是不好吗?即便是硅基电池,其减反效果也不好。
9楼2009-05-09 11:35:25
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Sahnrain

铁杆木虫 (正式写手)

SiNx膜的主要作用是减反射和钝化作用,膜本身必须到达两个要求,一是致密,而是均匀,折射率一般在2.0左右,目前最主要的两种镀膜设备是管式PECVD和平板PECVD,管式工艺膜的致密性要好于平板的,但平板的均匀性要好于管式的,国内管式为主。Suntech就是管式工艺。
10楼2009-05-09 18:09:54
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