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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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andrew82chen

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[交流] 【请教】请教氮化硅减反射层

工艺：PECVD，印刷银浆后，再烧结
请问高人，氮化硅烧结前是否多孔结构，烧结后致密？有没有文献推荐一下，谢谢！

[ Last edited by ddx-k on 2008-12-4 at 15:13 ]
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1楼 2008-11-26 14:17:00
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ddx-k

荣誉版主 (著名写手)

骑士II
★ ★
zt970831(金币+2):感谢您的交流 1-30 21:56
一般都很致密，因为致密的膜折射率高，减反射效果好，其实烧结的时候银浆会透过膜与硅接触。
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2楼2008-12-04 08:54:32
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stardom427

木虫 (著名写手)
★ ★
ddx-k(金币+0,VIP+0):看你写的专业是玻璃，但是你好像对电池工艺很熟悉啊。高手！
ddx-k(金币+2,VIP+0):回答很正确，里面涉及到共熔点的问题。
是致密层。。。。
烧结时，银浆中的玻璃粉会熔融，然后会高温腐蚀氮化硅，从而与硅片形成良好的欧姆接触。
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3楼2008-12-04 09:28:50
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comeon213

问一下一楼：折射率不是接近2最好么？难道越高越好？
二楼的帮助很大，谢谢啊
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4楼2009-01-30 11:45:39
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cord

铁杆木虫 (著名写手)
★ ★
musi429(金币+2):多谢答复，新年快乐~ 1-31 01:08
如果烧结的温度高到连玻璃粉都融化了，这个温度要上千度吧，这样的话，底下的PN结电池是不是已经受到破坏了。
在用于减反射层时氮化硅的折射率接近2好
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5楼2009-01-30 23:45:47
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greenworm1233

链式烧结炉的温度在800~850之间，这个温度主要是依据形成铝背场的温度要求设定的。单纯正表面电极不需要这么高的温度。
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6楼2009-02-07 14:37:20
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memser

PECVD SiNx一般温度是350°C，当后续工艺超过其沉积温度时，氮化硅薄膜会起泡、表面褶皱等，当然刻意调整沉积温度，我们用的OXford plasma system 100设备最高温度可为750，但是没有人弄的这么高的。如果条件容许，最好采用LPCVD，一般800－1000°C，薄膜致密得多，折射率一般超过2，PECVD的一般折射率1.97左右，很少超过2（折射率大小针对6328nm波长而言）
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7楼2009-02-07 20:01:30
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memser

P.S.　没弄清楚你的用途，怎么又要用减反射，如果那样，作为减反射膜。不光和膜的折射率有关，和膜的厚度也有关。如果你只是采用单层薄膜作为减反射膜话，那么最理想的单层减反射膜的条件是：膜的光学厚度（不是物理厚度）应为你系统参考波长的1/4整数倍，膜的折射率为入射介质折射率和出射介质折射率乘积的平方根。
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8楼2009-02-07 20:10:43
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健康2008

新虫 (初入文坛)
氮化硅的减反效果不是不好吗？即便是硅基电池，其减反效果也不好。
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9楼2009-05-09 11:35:25
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Sahnrain

铁杆木虫 (正式写手)
SiNx膜的主要作用是减反射和钝化作用，膜本身必须到达两个要求，一是致密，而是均匀，折射率一般在2.0左右，目前最主要的两种镀膜设备是管式PECVD和平板PECVD，管式工艺膜的致密性要好于平板的，但平板的均匀性要好于管式的，国内管式为主。Suntech就是管式工艺。
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10楼2009-05-09 18:09:54
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