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andrew82chen

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[交流] 【请教】请教氮化硅减反射层

工艺:PECVD,印刷银浆后,再烧结
请问高人,氮化硅烧结前是否多孔结构,烧结后致密?有没有文献推荐一下,谢谢!

[ Last edited by ddx-k on 2008-12-4 at 15:13 ]
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memser

PECVD SiNx一般温度是350°C,当后续工艺超过其沉积温度时,氮化硅薄膜会起泡、表面褶皱等,当然刻意调整沉积温度,我们用的OXford plasma system 100设备最高温度可为750,但是没有人弄的这么高的。如果条件容许,最好采用LPCVD,一般800-1000°C,薄膜致密得多,折射率一般超过2,PECVD的一般折射率1.97左右,很少超过2(折射率大小针对6328nm波长而言)
7楼2009-02-07 20:01:30
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memser

P.S. 没弄清楚你的用途,怎么又要用减反射,如果那样,作为减反射膜。不光和膜的折射率有关,和膜的厚度也有关。如果你只是采用单层薄膜作为减反射膜话,那么最理想的单层减反射膜的条件是:膜的光学厚度(不是物理厚度)应为你系统参考波长的1/4整数倍,膜的折射率为入射介质折射率和出射介质折射率乘积的平方根。
8楼2009-02-07 20:10:43
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