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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 单胞和原胞不同时能带计算的选择
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菲顶顶

铜虫 (正式写手)

[求助] 单胞和原胞不同时能带计算的选择 已有1人参与

密勒指数是在单胞中的概念，对于原胞是没有密勒指数这个概念的。
那如果说我想要计算某一方向上的能带就应该用单胞去算或者将原胞的换算成单胞，这样才是正确的。那是不是想要体现化合物性质的时候需要用单胞计算能带才对。
那么问题来了，对于Si来说我们都知道他是一个间接带隙半导体，其单胞能带却显示直接带隙，对于能带来说，在单胞和原胞不一样的时候到底哪一个得到的能带才是对的呢？
不太明白这个问题，请大家解答，谢谢。
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1楼 2016-09-15 09:43:52
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回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

蛋蛋小童鞋

版主 (著名写手)
顶，同样也不明白计算单胞和原胞对材料的性质区别在哪里
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愿不负最苦的时光
2楼2016-09-15 10:33:24
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漫天飘雪

版主 (知名作家)

认真做事，踏实做人
那么问题来了，对于Si来说我们都知道他是一个间接带隙半导体，其单胞能带却显示直接带隙? 请给出参考文献。
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http://blog.sciencenet.cn/u/pfliu89
3楼2016-09-15 21:56:54
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jpchou

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
蛋蛋小童鞋: 金币+2, 谢谢交流，小木虫鼓励积极回帖 2016-09-16 21:42:49
菲顶顶: 金币+5 2016-09-19 14:39:07
菲顶顶: 金币+3 2016-10-06 11:24:41
"????????????????Si??????????????????????????壬?????????????????????????????????????????????????????????????????????????"

"???" ????????? unit cell
????????????????v?? "???" ????????????????? supercell
unit cell ???? Si band structure ???@????g????????????????@?K???????κΠ??h
supercell ???? Si band structure "?????" ???@?????????

supercell ????????? unit cell ??????
???? obaica ???????????? unit cell ???? supercell??????l?? band folding ??F??
????? supercell ??????????????? Si VBM ??λ?ò??
????????? Si supercell ?Еr?????? "?????"???Еr?????? "?g????"
?@??ж?????? band folding (?????B)
supercell ???????B??????c??С???????
(????? VBM ?c CBM ??????VBM ????? supercell ????????????? k ???棬CBM ???h???? gamma point)
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7楼2016-09-16 19:35:23
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菲顶顶

铜虫 (正式写手)
我觉得如果是需要对应实验上的某一方向的话就一定要用单胞去计算能带。因为实际上来说其实原包的里面应该是和我们经常所说的某一个晶面是对应不上的，因为对于单胞来说要考虑对称性只有一种取法，而对原包来说可以有很多种。比如面心立方，111面试密排ABCABC，那么只有担保才能始终保持111面试ABC排列，而原胞的多种取法导致其中有的就不是这样的。
另外对于单胞和原胞的能带哪一个才能体现晶胞的性质，哪一种才算是对的，暂时还没有太理解。谢谢大家的回答，散金币。
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10楼2016-09-19 14:39:32
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普通回帖

obaica

禁言 (著名写手)
本帖内容被屏蔽
4楼2016-09-15 22:42:36
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菲顶顶

铜虫 (正式写手)
内容已删除
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5楼2016-09-16 15:00:04
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jpchou

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
蛋蛋小童鞋: 金币+4, 谢谢交流，小木虫鼓励积极回帖 2016-09-16 21:42:26
菲顶顶: 金币+3 2016-09-19 14:39:14
菲顶顶: 金币+4 2016-10-06 11:24:36
"???????????????е????????????????????????????????"

?@??????????Щ???}??

"??????? (Miller index)"????N????  "?_?????w????"  ????????o????? (single crystal? single cell?) ??????? (unit crystal? unit cell?)
???????  (111)  ????? x ????? 1??y ????? 1??z ????? 1 ???γ????
??????? <111> ????? x ?????? 1??y ?????? 1??z ?????? 1 ???γ??????
????????????????L???????????????????????????????


????@???~????????????????N
????????????????? unit cell
??????L?????????С??λ?w?e?γ??cell?????? unit cell??????Q???? 1x1x1 unit cell
?? "???" ?r????????????r???Еr??????ó????? (supercell)????? 2x2x2 supercell (??? 2x2x2 cell)
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6楼2016-09-16 19:24:51
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obaica

禁言 (著名写手)
本帖内容被屏蔽
8楼2016-09-17 18:34:32
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菲顶顶

铜虫 (正式写手)
引用回帖:
7楼: Originally posted by jpchou at 2016-09-16 19:35:23
"那么问题来了，对于Si来说我们都知道他是一个间接带隙半导体，其单胞能带却显示直接带隙，对于能带来说，在单胞和原胞不一样的时候到底哪一个得到的能带才是对的呢？"

"原胞" 想當然爾就是 ...

原包就是初基晶胞是primitive cell，单胞是惯用晶胞conventional cell，也就是unit cell. 硅的原包和惯用晶胞的对称性是不一样的，原包是体现晶体重复周期性体积最小的，但单胞是是能够体现晶体对称性的最小的。

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9楼2016-09-17 22:00:13
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