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单胞和原胞不同时能带计算的选择 已有1人参与
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密勒指数是在单胞中的概念，对于原胞是没有密勒指数这个概念的。 那如果说我想要计算某一方向上的能带就应该用单胞去算或者将原胞的换算成单胞，这样才是正确的。那是不是想要体现化合物性质的时候需要用单胞计算能带才对。 那么问题来了，对于Si来说我们都知道他是一个间接带隙半导体，其单胞能带却显示直接带隙，对于能带来说，在单胞和原胞不一样的时候到底哪一个得到的能带才是对的呢？ 不太明白这个问题，请大家解答，谢谢。 |
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 第一性原理计算-tg |
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2楼2016-09-15 10:33:24
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3楼2016-09-15 21:56:54
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7楼2016-09-16 19:35:23
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6楼2016-09-16 19:24:51
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8楼2016-09-17 18:34:32
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原包就是初基晶胞是primitive cell，单胞是惯用晶胞conventional cell，也就是unit cell. 硅的原包和惯用晶胞的对称性是不一样的，原包是体现晶体重复周期性体积最小的，但单胞是是能够体现晶体对称性的最小的。 发自小木虫Android客户端 |
9楼2016-09-17 22:00:13
