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hsx397529552

木虫 (正式写手)

[交流] XPS元素峰位由于荷电效应引起的偏移量

各位虫友:
大家好,我通过阳极氧化制备了镁的阳极氧化膜MgO,通过溅射Ar离子获取深度信息。发现镁元素与氧元素在前2min溅射获得的峰位与标准谱图一致,3到6min分别向高能端移动了0.65和0.3eV,请问这个现象正常吗?
由于阳极氧化膜导电性的下降,势必造成峰位向高能端移动,但是两个元素峰位的移动量应当是相等的嘛?还是没有必然联系,请大神指导,谢谢啦
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hsx397529552

木虫 (正式写手)

引用回帖:
7楼: Originally posted by zlyama366 at 2016-08-19 14:41:53
峰的形状有没有变化? 只是偏移是不对的。

峰位比较对称,或者说变化量非常小,形状变化代表新化合物的生成吧?好像没有新物质生成。貌似通过溅射,峰位偏了,但偏移量不同
8楼2016-08-20 14:04:16
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一川烟草

铁杆木虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
得电子向低能移动(被还原),失电子向高能移动(被氧化)。over~

发自小木虫IOS客户端
3楼2016-08-15 23:49:56
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hsx397529552

木虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by 一川烟草 at 2016-08-15 23:49:56
得电子向低能移动(被还原),失电子向高能移动(被氧化)。over~

是xps上的,不是说氧化还原反应,是说氩离子溅射后,xps峰位的偏移

发自小木虫IOS客户端
4楼2016-08-16 23:03:41
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一川烟草

铁杆木虫 (正式写手)

引用回帖:
4楼: Originally posted by hsx397529552 at 2016-08-16 23:03:41
是xps上的,不是说氧化还原反应,是说氩离子溅射后,xps峰位的偏移
...

一个道理
5楼2016-08-17 06:20:18
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