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hsx397529552木虫 (正式写手)
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[交流]
XPS元素峰位由于荷电效应引起的偏移量
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各位虫友： 大家好，我通过阳极氧化制备了镁的阳极氧化膜MgO，通过溅射Ar离子获取深度信息。发现镁元素与氧元素在前2min溅射获得的峰位与标准谱图一致，3到6min分别向高能端移动了0.65和0.3eV，请问这个现象正常吗？ 由于阳极氧化膜导电性的下降，势必造成峰位向高能端移动，但是两个元素峰位的移动量应当是相等的嘛？还是没有必然联系，请大神指导，谢谢啦 |
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hsx397529552
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4楼2016-08-16 23:03:41
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5楼2016-08-17 06:20:18
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首先谢谢您的回答！xps溅射造成的元素峰位偏移是由于荷电效应，并不是您说的氧化还原，整个过程压根没有化学反应！！！。您说的意思我的理解是，比如金属变成阳离子的偏移，跟我说的并不是一回事。我的问题是，荷电效应造成的镁偏移量是否应该等于氧的偏移量。原理上讲应该是，但实际我测的结果不同 发自小木虫IOS客户端 |
6楼2016-08-17 19:21:03