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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 腐蚀防护 » XPS元素峰位由于荷电效应引起的偏移量
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hsx397529552

木虫 (正式写手)

[交流] XPS元素峰位由于荷电效应引起的偏移量

各位虫友：
大家好，我通过阳极氧化制备了镁的阳极氧化膜MgO，通过溅射Ar离子获取深度信息。发现镁元素与氧元素在前2min溅射获得的峰位与标准谱图一致，3到6min分别向高能端移动了0.65和0.3eV，请问这个现象正常吗？
由于阳极氧化膜导电性的下降，势必造成峰位向高能端移动，但是两个元素峰位的移动量应当是相等的嘛？还是没有必然联系，请大神指导，谢谢啦
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1楼 2016-08-15 06:43:54
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zlyama366

铁虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
峰的形状有没有变化？ 只是偏移是不对的。
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7楼2016-08-19 14:41:53
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一川烟草

铁杆木虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
得电子向低能移动（被还原），失电子向高能移动（被氧化）。over~

发自小木虫IOS客户端
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3楼2016-08-15 23:49:56
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hsx397529552

木虫 (正式写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 一川烟草 at 2016-08-15 23:49:56
得电子向低能移动（被还原），失电子向高能移动（被氧化）。over~

是xps上的，不是说氧化还原反应，是说氩离子溅射后，xps峰位的偏移

发自小木虫IOS客户端
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4楼2016-08-16 23:03:41
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一川烟草

铁杆木虫 (正式写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by hsx397529552 at 2016-08-16 23:03:41
是xps上的，不是说氧化还原反应，是说氩离子溅射后，xps峰位的偏移
...

一个道理
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5楼2016-08-17 06:20:18
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