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求助:如何去掉硅衬底上的非晶硅层,但是又不伤害到衬底硅 已有1人参与
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| 新人求助,我用CVD的方法在单晶硅衬底上长了一层大约60nm厚的掺杂非晶硅层,测试过后我想把这层非晶硅层去掉但是又不要伤到衬底硅,求大神相助用什么试剂能够实现呢?我用HF+HNO3的不同配比溶液试过,这个是可以去掉,但是反应速率太快不好控制,并且会把衬底硅也给腐蚀掉。本身这层非晶硅层就长的很薄,所以用HF+HNO3腐蚀的话,短时间(10s左右)的腐蚀会使得硅表面不均匀。求助..... |
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flashxu0119
至尊木虫 (著名写手)
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- 专业: 凝聚态物性 II :电子结构
6楼2016-07-13 05:13:37
2楼2016-07-09 21:45:26
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这个我试过了,主要有两点问题。1.若用热氧化制备60nm左右的氧化硅,要比较长的时间和很高的温度。(文献上说大概1000,我试过700的,很慢。)2. 长时间的高温处理对硅片损害比较大,而且我们的片子是扩散好了的,若再经高温处理可能会影响杂质分布。 发自小木虫Android客户端 |
3楼2016-07-10 11:42:58
congyu_2007
金虫 (著名写手)
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4楼2016-07-12 09:02:13












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