| 查看: 2033 | 回复: 9 | |||
[求助]
求助：如何去掉硅衬底上的非晶硅层，但是又不伤害到衬底硅 已有1人参与
|
| 新人求助，我用CVD的方法在单晶硅衬底上长了一层大约60nm厚的掺杂非晶硅层，测试过后我想把这层非晶硅层去掉但是又不要伤到衬底硅，求大神相助用什么试剂能够实现呢？我用HF+HNO3的不同配比溶液试过，这个是可以去掉，但是反应速率太快不好控制，并且会把衬底硅也给腐蚀掉。本身这层非晶硅层就长的很薄，所以用HF+HNO3腐蚀的话，短时间（10s左右）的腐蚀会使得硅表面不均匀。求助..... |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 收藏夹 |
» 猜你喜欢
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.54,科目全,可伽急
已经有3人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O.5.4,科目全,可+急
已经有3人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O.55.1.O.5.4,科目全,可+急
已经有3人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.54,科目全,可伽急
已经有3人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8O.55.1.O.5.4,科目齐全,可+急
已经有5人回复
-
售SCI一区T0P文章，我:8.O55.1.O.54,科目全,可十急
已经有3人回复
-
售SCI一区文章，我:8O5.5.1.O5.4,科目全,可伽急
已经有5人回复
-
售SCI一区文章，我:8O5.5.1.O5.4,科目全,可伽急
已经有4人回复
-
售SCI一区文章，我:8.O.551.O.5.4,科目全,可伽急
已经有3人回复
-
售SCI一区文章，我:8.O.551.O.5.4,科目全,可伽急
已经有5人回复
» 本主题相关商家推荐: (我也要在这里推广)
2楼2016-07-09 21:45:26
|
这个我试过了，主要有两点问题。1.若用热氧化制备60nm左右的氧化硅，要比较长的时间和很高的温度。(文献上说大概1000，我试过700的，很慢。)2. 长时间的高温处理对硅片损害比较大，而且我们的片子是扩散好了的，若再经高温处理可能会影响杂质分布。 发自小木虫Android客户端 |
3楼2016-07-10 11:42:58
congyu_2007
金虫 (著名写手)
- 应助: 1 (幼儿园)
- 金币: 14989.2
- 红花: 1
- 帖子: 1958
- 在线: 435.4小时
- 虫号: 322190
- 注册: 2007-03-11
- 性别: GG
- 专业: 光电子材料与器件、纳米薄
4楼2016-07-12 09:02:13
5楼2016-07-12 09:26:11
flashxu0119
至尊木虫 (著名写手)
- 应助: 10 (幼儿园)
- 金币: 15161.3
- 散金: 168
- 红花: 2
- 帖子: 2969
- 在线: 342.2小时
- 虫号: 465080
- 注册: 2007-11-22
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
6楼2016-07-13 05:13:37
7楼2016-07-13 21:18:37
8楼2016-07-13 22:48:41
flashxu0119
至尊木虫 (著名写手)
- 应助: 10 (幼儿园)
- 金币: 15161.3
- 散金: 168
- 红花: 2
- 帖子: 2969
- 在线: 342.2小时
- 虫号: 465080
- 注册: 2007-11-22
- 性别: GG
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
9楼2016-07-14 06:58:09
10楼2016-07-14 09:14:43
