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[求助]
求助：如何去掉硅衬底上的非晶硅层，但是又不伤害到衬底硅 已有1人参与
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| 新人求助，我用CVD的方法在单晶硅衬底上长了一层大约60nm厚的掺杂非晶硅层，测试过后我想把这层非晶硅层去掉但是又不要伤到衬底硅，求大神相助用什么试剂能够实现呢？我用HF+HNO3的不同配比溶液试过，这个是可以去掉，但是反应速率太快不好控制，并且会把衬底硅也给腐蚀掉。本身这层非晶硅层就长的很薄，所以用HF+HNO3腐蚀的话，短时间（10s左右）的腐蚀会使得硅表面不均匀。求助..... |
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congyu_2007
金虫 (著名写手)
- 应助: 1 (幼儿园)
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- 帖子: 1958
- 在线: 435.4小时
- 虫号: 322190
- 注册: 2007-03-11
- 性别: GG
- 专业: 光电子材料与器件、纳米薄
4楼2016-07-12 09:02:13
2楼2016-07-09 21:45:26
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这个我试过了，主要有两点问题。1.若用热氧化制备60nm左右的氧化硅，要比较长的时间和很高的温度。(文献上说大概1000，我试过700的，很慢。)2. 长时间的高温处理对硅片损害比较大，而且我们的片子是扩散好了的，若再经高温处理可能会影响杂质分布。 发自小木虫Android客户端 |
3楼2016-07-10 11:42:58
5楼2016-07-12 09:26:11
