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硅片基底增加表面粗糙度已有2人参与
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最近在研究表面粗糙度和接触热阻的关系，需要使抛光后的硅片基底变得粗糙来获得不同情况下的热组值。 试过用湿法刻蚀硅片表面（制绒工艺），效果不是很好，感觉获得的表面粗糙度太大了，而且硅片边缘和中心刻蚀的程度也不一样。 跟老板讨论了一下，他建议我在抛光硅片的表面沉积颗粒来改变表面粗糙度，但我觉得比较麻烦。想试试干法刻蚀中的RIE和ICP，不知道是否比湿法更可控。 本人对微纳加工不是很懂，各位虫友是否知道其它经典简便的方法，希望不惜赐教，谢谢！ |
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jw329: 金币+2 2016-03-27 22:35:01
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reninhat
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jw329: 金币+3 2016-03-27 22:35:04
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djdj123321
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