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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 如何向微米沟槽阵列中填充介电材料
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holster_1988

新虫 (小有名气)

[求助] 如何向微米沟槽阵列中填充介电材料

使用光刻在硅片上制备了10微米间距的沟槽阵列，想在沟槽内沉积Al2O3，使其将沟槽填充满，且避免非沟槽的区域也覆盖上Al2O3，求助高人指点或推荐相关文献。谢谢！
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1楼 2016-03-09 16:51:46
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reninhat

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
holster_1988: 金币+5, ★★★很有帮助 2016-03-10 09:43:07
直接长足够厚的Al2O3，然后减薄，直到Si暴露出来。
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4楼2016-03-10 08:51:43
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郭心雨

铁虫 (小有名气)
沉积完了后再覆盖光刻胶做掩膜，要对准好，然后酸液去除氧化铝。可以私信

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2楼2016-03-09 19:24:33
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holster_1988

新虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 郭心雨 at 2016-03-09 19:24:33
沉积完了后再覆盖光刻胶做掩膜，要对准好，然后酸液去除氧化铝。可以私信

技术难度挺大的
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3楼2016-03-09 22:31:03
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dorrnm

金虫 (小有名气)
有现成的工艺，查查CMOS大马士革工艺，就是你说的这种效果，要平坦化的

发自小木虫Android客户端
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5楼2016-03-10 09:09:40
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