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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳器件 » 求助大神：N型SiC欧姆接触测试问题
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guotao019

新虫 (著名写手)

[求助] 求助大神：N型SiC欧姆接触测试问题已有2人参与

N外延片上离子注入形成N型和P型4H-SiC，目标浓度为3*10^20 cm-3，深度300nm，箱型分布；做的欧姆接触，用圆形传输线法测试，N型的拟合效果都特别差，得出的比接触值也不对，但P型的拟合的都很好。
     求大神告知原因？

ps:  退火温度为1000℃/3min  RTA，N和P退火温度一样。退火后形貌也不错。
       版图：左边圆环内径均为150um,外径步长为10um增大。右边圆环内径均为100um,外径步长为10um增大。

求助大神：N型SiC欧姆接触测试问题
N型.png


求助大神：N型SiC欧姆接触测试问题-1
p型.png


求助大神：N型SiC欧姆接触测试问题-2
版图.png@yswyx
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1楼2016-03-08 19:43:23
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guotao019

新虫 (著名写手)
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2楼: Originally posted by dorrnm at 2016-03-09 20:56:16
你要先说清楚咋测试的，然后才能知道原因在哪。
1.你咋测试的，是不是四探针，然后是加的电压还是电流，选的什么量程测试的。
2.如果上面测试选择没问题，测试出来的每个电阻线性都好不好，是不是都是直线。
3.线 ...

您好，首先感谢您的回复！
   1.采用两终端测试，测得圆环电极I-V特性，电压试了两个量程：-20V~20V和-2V~2V；
   2.上面的测试没有问题，并且N和P的线性度都很好，都是直线。
   3.没有用线性TLM，因为没有做隔离。用圆形测了很多组，P型拟合的都很好，N型都拟合不出来。按理说随着金属电极间距增大，I-V测试得到的电阻值越大，但是N型的基本不变。。。
   
    期待您的回复，谢谢！
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3楼2016-03-10 09:47:26
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guotao019

新虫 (著名写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by dorrnm at 2016-03-10 22:33:39
我觉得是因为测试问题，SiC的电子迁移率1000cm2·V-1·s-1，空穴迁移率只有115cm2·V-1·s-1，几乎差了10倍，所以如果掺杂浓度和结深一样，结果方块电阻应该也差了10倍。我用你给的值算了一下，n型的方块电阻大概2 ...

我用的环形电极，提取的P型的方块电阻在10K左右。而且N型碳化硅注入后的方块电阻值会在百欧到1K之间，现在水平是做不到几个欧的，应该不是测试问题。我是西电的，北方能做碳化硅离子注入的也就两家吧，一个是北京泰科天润，一个是半导体所。我是在泰科做的，Al最高能注的能量是400KeV貌似。

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5楼2016-03-10 23:34:35
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guotao019

新虫 (著名写手)
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7楼: Originally posted by 1154606018 at 2016-03-23 22:51:05
楼主你好，你现在解决n的问题了吗?我也做过n-4H SIC欧姆接触，环形传输线得到的方块电阻在几十欧，测得的I-V线性，但R-ln(rn/r0)点比较散没法拟合，请问你是这种情况吗?还想请教一下I-V线性是不是就说明形成欧姆接触 ...

你好，我的问题还没解决，没找出原因。我的问题跟你一样，数据离散没法拟合。I-V呈线性说明是欧姆接触已经形成。

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9楼2016-03-23 23:33:06
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guotao019

新虫 (著名写手)
引用回帖:
7楼: Originally posted by 1154606018 at 2016-03-23 22:51:05
楼主你好，你现在解决n的问题了吗?我也做过n-4H SIC欧姆接触，环形传输线得到的方块电阻在几十欧，测得的I-V线性，但R-ln(rn/r0)点比较散没法拟合，请问你是这种情况吗?还想请教一下I-V线性是不是就说明形成欧姆接触 ...

你是做的单步工艺还是在做器件的时候留的欧姆接触了测试单元？

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10楼2016-03-23 23:35:03
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guotao019

新虫 (著名写手)
引用回帖:
11楼: Originally posted by 1154606018 at 2016-03-23 23:38:48
单步。那你知道怎么用四探针测吗?你后来用四探针测了吗？
...

没有用四探针测。你直接用的高掺外延片做的欧欧还是离子注入？

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12楼2016-03-23 23:40:26
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guotao019

新虫 (著名写手)
引用回帖:
13楼: Originally posted by 1154606018 at 2016-03-23 23:42:51
都有做
...

你高掺的外延片浓度是多少，用的环形电极也拟合不出来？环形电极的内径和外径是多少？

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14楼2016-03-23 23:45:32
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guotao019

新虫 (著名写手)
引用回帖:
15楼: Originally posted by 1154606018 at 2016-03-23 23:49:30
1E19,内径比你们小，45um，圆环增长的数值不固定，7-20um之间

实在想不通，我的P型拟合的很好，N型都不行。难道是N型体电阻太小，金属还有探针引入的电阻不能忽略？不知道增加环的间距有没有用。。。

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16楼2016-03-23 23:53:28
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guotao019

新虫 (著名写手)
引用回帖:
17楼: Originally posted by 1154606018 at 2016-03-23 23:56:56
我觉得可以试试四探针法测试，你们西电做sic欧姆接触很厉害的，你可以请教一下他们呢，解决了告诉我一下了，谢谢
...

我最近一直在找原因，有问过老师们，以前也没有遇到这种问题。如果找到原因所在会及时告诉你的，希望以后可以多交流。

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18楼2016-03-24 00:00:03
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guotao019

新虫 (著名写手)
引用回帖:
19楼: Originally posted by 1154606018 at 2016-03-24 09:02:48
你用L-TLM测试结果也是一样吗
...

L-TLM没有做隔离，所以没测。。。
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20楼2016-03-24 09:58:04
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