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guotao019

新虫 (著名写手)

[求助] 求助大神:N型SiC欧姆接触测试问题已有2人参与

N外延片上离子注入形成N型和P型4H-SiC,目标浓度为3*10^20 cm-3,深度300nm,箱型分布;做的欧姆接触,用圆形传输线法测试,N型的拟合效果都特别差,得出的比接触值也不对,但P型的拟合的都很好。
     求大神告知原因?

ps:  退火温度为1000℃/3min  RTA,N和P退火温度一样。退火后形貌也不错。
       版图:左边圆环内径均为150um,外径步长为10um增大。右边圆环内径均为100um,外径步长为10um增大。

求助大神:N型SiC欧姆接触测试问题
N型.png


求助大神:N型SiC欧姆接触测试问题-1
p型.png


求助大神:N型SiC欧姆接触测试问题-2
版图.png@yswyx
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guotao019

新虫 (著名写手)

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21楼: Originally posted by 1154606018 at 2016-03-24 19:21:24
对了,你有没有做过钝化啊

没有做钝化,你是指在没有欧姆的区域淀积钝化层?

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22楼2016-03-24 20:10:47
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guotao019

新虫 (著名写手)

引用回帖:
21楼: Originally posted by 1154606018 at 2016-03-24 19:21:24
对了,你有没有做过钝化啊

你好,想问下你的离子注入和外延片做的N型欧姆接触都拟合不出来吗?还是只有离子注入的拟合不出来?

发自小木虫Android客户端
23楼2016-03-30 00:16:57
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guotao019

新虫 (著名写手)

引用回帖:
24楼: Originally posted by fiance1210 at 2016-05-04 09:26:39
你好,我最近做n-GaN也遇到这个问题,不知道你用几探针测的,我之前做p-GaN欧姆接触,总电阻大约1500-3500欧,用二探针和四探针测量区别很小,但是做n-GaN时,总电阻只有大约6-10欧,用二探针测出来就与你的N型一 ...

您好,非常谢谢您的回复。我尽快试试四针测法。

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25楼2016-05-04 16:33:33
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guotao019

新虫 (著名写手)

引用回帖:
24楼: Originally posted by fiance1210 at 2016-05-04 09:26:39
你好,我最近做n-GaN也遇到这个问题,不知道你用几探针测的,我之前做p-GaN欧姆接触,总电阻大约1500-3500欧,用二探针和四探针测量区别很小,但是做n-GaN时,总电阻只有大约6-10欧,用二探针测出来就与你的N型一 ...

您好。麻烦问下这个四探针法是怎么测试的?

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26楼2016-05-04 16:45:34
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guotao019

新虫 (著名写手)

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27楼: Originally posted by fiance1210 at 2016-05-05 10:33:51
我是在高精度探针台上测量的,探针台上有四根针,两根针扎在圆环里面,两根针扎在圆环外面,四根针的扎针位置排成一条直线,设置圆环外两根针中最外面的一根针接地,其它几根针怎么接你得调试一下,只要调对了就能 ...

谢谢,特别感谢

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28楼2016-05-05 12:32:18
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