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guotao019新虫 (著名写手)
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求助大神：N型SiC欧姆接触测试问题 已有2人参与
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N外延片上离子注入形成N型和P型4H-SiC，目标浓度为3*10^20 cm-3，深度300nm，箱型分布；做的欧姆接触，用圆形传输线法测试，N型的拟合效果都特别差，得出的比接触值也不对，但P型的拟合的都很好。 求大神告知原因？ ps: 退火温度为1000℃/3min RTA，N和P退火温度一样。退火后形貌也不错。 版图：左边圆环内径均为150um,外径步长为10um增大。右边圆环内径均为100um,外径步长为10um增大。  N型.png  p型.png  版图.png@yswyx |
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27楼2016-05-05 10:33:51
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2楼2016-03-09 20:56:16
guotao019
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3楼2016-03-10 09:47:26
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【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★ ★
guotao019: 金币+5, ★有帮助 2016-05-06 09:40:58
guotao019: 金币+5, ★有帮助 2016-05-06 09:40:58
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我觉得是因为测试问题，SiC的电子迁移率1000cm2·V-1·s-1，空穴迁移率只有115cm2·V-1·s-1，几乎差了10倍，所以如果掺杂浓度和结深一样，结果方块电阻应该也差了10倍。我用你给的值算了一下，n型的方块电阻大概2Ω，p型的大概18Ω 这个时候两探针和四探针的差别就很明显了，一般探针的接触电阻有几Ω，p型的电阻测出来值肯定都在几十欧，影响不大，还能成线性，n型的值就在几欧，这个时候接触电阻的影响很大了，每次测量接触电阻都可能不同，所以结果就曲里拐弯不在一条线上了。 试试用四探针法测量n型。 还有就是你这个p型的半导体看着阻值都在几百欧，比计算值大了5~10倍左右，感觉结深或者浓度不大够。 PS：问一下你是那个学校的？你们那边做SiC有没有那种做Al注入的高能量注入设备？ |
4楼2016-03-10 22:33:39
guotao019
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我用的环形电极，提取的P型的方块电阻在10K左右。而且N型碳化硅注入后的方块电阻值会在百欧到1K之间，现在水平是做不到几个欧的，应该不是测试问题。我是西电的，北方能做碳化硅离子注入的也就两家吧，一个是北京泰科天润，一个是半导体所。我是在泰科做的，Al最高能注的能量是400KeV貌似。 发自小木虫Android客户端 |
5楼2016-03-10 23:34:35
dorrnm
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【答案】应助回帖
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不好意思没说清楚.. 我的意思是，你看你给的图，n型的电阻值在8欧姆左右，不同距离的差异在一欧以下，这个时候接触电阻变化，会影响到你的测量结果，因为每次扎针接触电阻都不一样，像p型那样两个点阻值差几百欧的可以忽略，差一欧姆的不能忽略，所以要用四探针法。 发自小木虫Android客户端 |
6楼2016-03-11 15:43:48
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楼主你好，你现在解决n的问题了吗?我也做过n-4H SIC欧姆接触，环形传输线得到的方块电阻在几十欧，测得的I-V线性，但R-ln(rn/r0)点比较散没法拟合，请问你是这种情况吗?还想请教一下I-V线性是不是就说明形成欧姆接触了？ 发自小木虫Android客户端 |
7楼2016-03-23 22:51:05
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