【答案】应助回帖

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无机化学论文润色/翻译怎么收费? 已经有78人回复

1楼2016-03-08 19:43:23

guotao019

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11楼: Originally posted by 1154606018 at 2016-03-23 23:38:48
单步。那你知道怎么用四探针测吗?你后来用四探针测了吗？
...

没有用四探针测。你直接用的高掺外延片做的欧欧还是离子注入？

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12楼2016-03-23 23:40:26

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dorrnm

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【答案】应助回帖

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guotao019: 金币+5, ★有帮助 2016-03-24 08:53:56

你要先说清楚咋测试的，然后才能知道原因在哪。
1.你咋测试的，是不是四探针，然后是加的电压还是电流，选的什么量程测试的。
2.如果上面测试选择没问题，测试出来的每个电阻线性都好不好，是不是都是直线。
3.线性TLM测试结果咋样，是不是和圆形一样也是P型可以，N型不行

2楼2016-03-09 20:56:16

guotao019

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2楼: Originally posted by dorrnm at 2016-03-09 20:56:16
你要先说清楚咋测试的，然后才能知道原因在哪。
1.你咋测试的，是不是四探针，然后是加的电压还是电流，选的什么量程测试的。
2.如果上面测试选择没问题，测试出来的每个电阻线性都好不好，是不是都是直线。
3.线 ...

您好，首先感谢您的回复！
1.采用两终端测试，测得圆环电极I-V特性，电压试了两个量程：-20V~20V和-2V~2V；
2.上面的测试没有问题，并且N和P的线性度都很好，都是直线。
3.没有用线性TLM，因为没有做隔离。用圆形测了很多组，P型拟合的都很好，N型都拟合不出来。按理说随着金属电极间距增大，I-V测试得到的电阻值越大，但是N型的基本不变。。。

期待您的回复，谢谢！

3楼2016-03-10 09:47:26

dorrnm

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guotao019: 金币+5, ★有帮助 2016-05-06 09:40:58

引用回帖:

3楼: Originally posted by guotao019 at 2016-03-10 09:47:26
您好，首先感谢您的回复！
1.采用两终端测试，测得圆环电极I-V特性，电压试了两个量程：-20V~20V和-2V~2V；
2.上面的测试没有问题，并且N和P的线性度都很好，都是直线。
3.没有用线性TLM，因为没有做隔 ...

我觉得是因为测试问题，SiC的电子迁移率1000cm2·V-1·s-1，空穴迁移率只有115cm2·V-1·s-1，几乎差了10倍，所以如果掺杂浓度和结深一样，结果方块电阻应该也差了10倍。我用你给的值算了一下，n型的方块电阻大概2Ω，p型的大概18Ω
这个时候两探针和四探针的差别就很明显了，一般探针的接触电阻有几Ω，p型的电阻测出来值肯定都在几十欧，影响不大，还能成线性，n型的值就在几欧，这个时候接触电阻的影响很大了，每次测量接触电阻都可能不同，所以结果就曲里拐弯不在一条线上了。
试试用四探针法测量n型。
还有就是你这个p型的半导体看着阻值都在几百欧，比计算值大了5~10倍左右，感觉结深或者浓度不大够。
PS：问一下你是那个学校的？你们那边做SiC有没有那种做Al注入的高能量注入设备？

4楼2016-03-10 22:33:39