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yjobj

铁虫 (小有名气)

[交流] 晶圆warp改善 已有2人参与

想请问一下前辈们,晶圆warp可以从哪些方面进行改善?
我做的是砷化镓
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BadBoy杰仔

银虫 (初入文坛)

我的建议:
改善晶圆warp可以降低线锯的供线速度,以及采用粒径更小的磨粒来进行切割,后期可以减少研磨减薄的量
10楼2016-02-19 17:03:06
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yswyx

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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
穿越千年: 金币+5, 结合各个楼层的回答,感谢您的精彩回复 2016-02-19 23:37:52
引用回帖:
3楼: Originally posted by yjobj at 2016-02-19 10:38:47
我要是知道是什么过程产生的我就不问了。。。
最后的产品是抛光片,不涉及到后面的器件。想改善的的出货时晶片的warp。
想知道哪些过程会对晶片warp造成较大的影响。论文上普遍的说法是长晶时内应力和线切割 ...

产业链很长,生产芯片的过程中会造成warp的工艺也非常多,所以需要说清楚
应力肯定是warp产生的原因,拉单晶时的内应力主要是冷却过程中产生的,其它的因素是杂质分布,但影响很小。最简单的办法时候延长冷却的时间,退火,静置等方法。但是这个需要不同的工艺条件来测试。
而线切割产生的应力造成的warp是很直观的。可以通过切割速度和冷却方式来不断的调整,观察warp的变化。
8楼2016-02-19 16:17:15
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yswyx

专家顾问 (著名写手)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
说的太笼统,无处下嘴。
你是拉单晶啊,还是做器件啊,还是干嘛啊?warp有多大啊?想改善到什么程度啊?你的warp是什么过程产生的啊?
这种问题就像,请问雾霾可以从哪些方面进行改善?
2楼2016-02-17 19:10:34
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yjobj

铁虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2016-02-17 19:10:34
说的太笼统,无处下嘴。
你是拉单晶啊,还是做器件啊,还是干嘛啊?warp有多大啊?想改善到什么程度啊?你的warp是什么过程产生的啊?
这种问题就像,请问雾霾可以从哪些方面进行改善?

我要是知道是什么过程产生的我就不问了。。。
最后的产品是抛光片,不涉及到后面的器件。想改善的的出货时晶片的warp。
想知道哪些过程会对晶片warp造成较大的影响。论文上普遍的说法是长晶时内应力和线切割的影响。
3楼2016-02-19 10:38:47
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yousyunnsei

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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
穿越千年: 金币+5, 感谢精彩回复 2016-02-19 23:39:39
wafer的Warp改善要从长晶,线切割入手。后续的研磨,抛光几乎改善不了warp.

一般问了降低wafer Warp的大小,可以对晶片或晶棒进行热处理,在高温下,晶体内部的应力得到释放,可以减少Warp的大小。
使人成熟的不是岁月,而是经历。
4楼2016-02-19 14:27:40
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yousyunnsei

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引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2016-02-17 19:10:34
说的太笼统,无处下嘴。
你是拉单晶啊,还是做器件啊,还是干嘛啊?warp有多大啊?想改善到什么程度啊?你的warp是什么过程产生的啊?
这种问题就像,请问雾霾可以从哪些方面进行改善?

此外,线切割时,增加泥浆的喷射粒度,尽量使晶棒的各点温差不要太大,尽量降低晶棒的温度。

这也是减少warp的一个方法。
使人成熟的不是岁月,而是经历。
5楼2016-02-19 14:32:11
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yjobj

铁虫 (小有名气)

引用回帖:
5楼: Originally posted by yousyunnsei at 2016-02-19 14:32:11
此外,线切割时,增加泥浆的喷射粒度,尽量使晶棒的各点温差不要太大,尽量降低晶棒的温度。

这也是减少warp的一个方法。...

"增加泥浆的喷射粒度",是”增加泥浆的喷射力度“吗?感谢您的回答。
6楼2016-02-19 15:46:29
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yjobj

铁虫 (小有名气)

引用回帖:
4楼: Originally posted by yousyunnsei at 2016-02-19 14:27:40
wafer的Warp改善要从长晶,线切割入手。后续的研磨,抛光几乎改善不了warp.

一般问了降低wafer Warp的大小,可以对晶片或晶棒进行热处理,在高温下,晶体内部的应力得到释放,可以减少Warp的大小。


谢谢!
7楼2016-02-19 15:48:26
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yjobj

铁虫 (小有名气)

引用回帖:
8楼: Originally posted by yswyx at 2016-02-19 16:17:15
产业链很长,生产芯片的过程中会造成warp的工艺也非常多,所以需要说清楚
应力肯定是warp产生的原因,拉单晶时的内应力主要是冷却过程中产生的,其它的因素是杂质分布,但影响很小。最简单的办法时候延长冷却的时 ...

恩,因为我这里长晶用的是VGF法,温度梯度比较小,因此内应力也应该比较小,但这只是我直观上的感觉,不知道有什么方法可以验证?
感觉线切割那里的感觉影响因素比较多,如果做实验测试是否需要设计什么正交实验的。。。
9楼2016-02-19 16:56:18
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