应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 半导体 » 晶圆warp改善
121/2返回列表12下一页
查看: 3686  |  回复: 11
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看

yjobj

铁虫 (小有名气)

[交流] 晶圆warp改善 已有2人参与

想请问一下前辈们，晶圆warp可以从哪些方面进行改善？
我做的是砷化镓
回复此楼

» 猜你喜欢
1楼 2016-02-16 15:39:39
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

BadBoy杰仔

银虫 (初入文坛)
我的建议：
改善晶圆warp可以降低线锯的供线速度，以及采用粒径更小的磨粒来进行切割，后期可以减少研磨减薄的量
赞一下(2人) 回复此楼
10楼2016-02-19 17:03:06
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

yswyx

专家顾问 (著名写手)
★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
穿越千年: 金币+5, 结合各个楼层的回答，感谢您的精彩回复 2016-02-19 23:37:52
引用回帖:
3楼: Originally posted by yjobj at 2016-02-19 10:38:47
我要是知道是什么过程产生的我就不问了。。。
最后的产品是抛光片，不涉及到后面的器件。想改善的的出货时晶片的warp。
想知道哪些过程会对晶片warp造成较大的影响。论文上普遍的说法是长晶时内应力和线切割 ...

产业链很长，生产芯片的过程中会造成warp的工艺也非常多，所以需要说清楚
应力肯定是warp产生的原因，拉单晶时的内应力主要是冷却过程中产生的，其它的因素是杂质分布，但影响很小。最简单的办法时候延长冷却的时间，退火，静置等方法。但是这个需要不同的工艺条件来测试。
而线切割产生的应力造成的warp是很直观的。可以通过切割速度和冷却方式来不断的调整，观察warp的变化。
赞一下(1人) 回复此楼
8楼2016-02-19 16:17:15
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
普通回帖

yswyx

专家顾问 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
说的太笼统，无处下嘴。
你是拉单晶啊，还是做器件啊，还是干嘛啊？warp有多大啊？想改善到什么程度啊？你的warp是什么过程产生的啊？
这种问题就像，请问雾霾可以从哪些方面进行改善？
赞一下 回复此楼
2楼2016-02-17 19:10:34
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

yjobj

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2016-02-17 19:10:34
说的太笼统，无处下嘴。
你是拉单晶啊，还是做器件啊，还是干嘛啊？warp有多大啊？想改善到什么程度啊？你的warp是什么过程产生的啊？
这种问题就像，请问雾霾可以从哪些方面进行改善？

我要是知道是什么过程产生的我就不问了。。。
最后的产品是抛光片，不涉及到后面的器件。想改善的的出货时晶片的warp。
想知道哪些过程会对晶片warp造成较大的影响。论文上普遍的说法是长晶时内应力和线切割的影响。
赞一下 回复此楼
3楼2016-02-19 10:38:47
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

yousyunnsei

捐助贵宾 (职业作家)
商家已经主动声明此回帖可能含有宣传内容
★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
穿越千年: 金币+5, 感谢精彩回复 2016-02-19 23:39:39
wafer的Warp改善要从长晶，线切割入手。后续的研磨，抛光几乎改善不了warp.

一般问了降低wafer Warp的大小，可以对晶片或晶棒进行热处理，在高温下，晶体内部的应力得到释放，可以减少Warp的大小。
赞一下 回复此楼
使人成熟的不是岁月，而是经历。
4楼2016-02-19 14:27:40
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

yousyunnsei

捐助贵宾 (职业作家)
商家已经主动声明此回帖可能含有宣传内容
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2016-02-17 19:10:34
说的太笼统，无处下嘴。
你是拉单晶啊，还是做器件啊，还是干嘛啊？warp有多大啊？想改善到什么程度啊？你的warp是什么过程产生的啊？
这种问题就像，请问雾霾可以从哪些方面进行改善？

此外，线切割时，增加泥浆的喷射粒度，尽量使晶棒的各点温差不要太大，尽量降低晶棒的温度。

这也是减少warp的一个方法。
赞一下 回复此楼
使人成熟的不是岁月，而是经历。
5楼2016-02-19 14:32:11
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

yjobj

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
5楼: Originally posted by yousyunnsei at 2016-02-19 14:32:11
此外，线切割时，增加泥浆的喷射粒度，尽量使晶棒的各点温差不要太大，尽量降低晶棒的温度。

这也是减少warp的一个方法。...

"增加泥浆的喷射粒度"，是”增加泥浆的喷射力度“吗？感谢您的回答。
赞一下 回复此楼
6楼2016-02-19 15:46:29
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

yjobj

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
4楼: Originally posted by yousyunnsei at 2016-02-19 14:27:40
wafer的Warp改善要从长晶，线切割入手。后续的研磨，抛光几乎改善不了warp.

一般问了降低wafer Warp的大小，可以对晶片或晶棒进行热处理，在高温下，晶体内部的应力得到释放，可以减少Warp的大小。


谢谢！
回复此楼
7楼2016-02-19 15:48:26
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

yjobj

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
8楼: Originally posted by yswyx at 2016-02-19 16:17:15
产业链很长，生产芯片的过程中会造成warp的工艺也非常多，所以需要说清楚
应力肯定是warp产生的原因，拉单晶时的内应力主要是冷却过程中产生的，其它的因素是杂质分布，但影响很小。最简单的办法时候延长冷却的时 ...

恩，因为我这里长晶用的是VGF法，温度梯度比较小，因此内应力也应该比较小，但这只是我直观上的感觉，不知道有什么方法可以验证？
感觉线切割那里的感觉影响因素比较多，如果做实验测试是否需要设计什么正交实验的。。。
赞一下 回复此楼
9楼2016-02-19 16:56:18
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 yjobj 的主题更新
121/2返回列表12下一页
普通表情 龙 兔 虎 猫 高级回复 (可上传附件)
最具人气热帖推荐 [查看全部] 作者 回/看 最后发表
[考研] 085410人工智能专硕317求调剂（0854都可以） +3 xbxudjdn 2026-03-18 3/150 2026-03-18 22:14 by zhq0425
[考研] 085600材料与化工 +5 安全上岸！ 2026-03-16 5/250 2026-03-18 15:33 by cmz0325
[考研] 08工科 320总分 求调剂 +5 梨花珞晚风 2026-03-17 5/250 2026-03-18 14:49 by haxia
[考研] 311求调剂 +6 26研0 2026-03-15 6/300 2026-03-18 14:43 by haxia
[考研] 297求调剂 +8 戏精丹丹丹 2026-03-17 8/400 2026-03-18 14:30 by laoshidan
[考研] 312求调剂 +8 陌宸希 2026-03-16 9/450 2026-03-18 12:39 by Linda Hu
[考博] 环境领域全国重点实验室招收博士1-2名 +3 QGZDSYS 2026-03-13 5/250 2026-03-18 11:13 by QGZDSYS
[考研] 材料与化工求调剂 +6 为学666 2026-03-16 6/300 2026-03-17 20:15 by peike
[考研] 301求调剂 +4 A_JiXing 2026-03-16 4/200 2026-03-17 17:32 by ruiyingmiao
[考研] 085601求调剂 +4 Du.11 2026-03-16 4/200 2026-03-17 17:08 by ruiyingmiao
[考研] 085600材料与化工求调剂 +5 绪幸与子 2026-03-17 5/250 2026-03-17 16:40 by laoshidan
[考研] 一志愿，福州大学材料专硕339分求调剂 +3 木子momo青争 2026-03-15 3/150 2026-03-17 07:52 by laoshidan
[考研] 283求调剂 +3 听风就是雨； 2026-03-16 3/150 2026-03-17 07:41 by 热情沙漠
[考研] 304求调剂 +4 ahbd 2026-03-14 4/200 2026-03-16 16:48 by 我的船我的海
[考研] 一志愿华中师范071000，325求调剂 +6 RuitingC 2026-03-12 6/300 2026-03-16 14:50 by 可淡不可忘
[考研] 070303 总分349求调剂 +3 LJY9966 2026-03-15 5/250 2026-03-16 14:24 by xwxstudy
[考研] 330求调剂 +3 ?酱给调剂跪了 2026-03-13 3/150 2026-03-14 10:13 by JourneyLucky
[考研] 招收0805（材料）调剂 +3 18595523086 2026-03-13 3/150 2026-03-14 00:33 by 123%、
[考研] 求调剂 +5 一定有学上- 2026-03-12 5/250 2026-03-13 18:31 by ms629
[考研] 333求调剂 +3 152697 2026-03-12 4/200 2026-03-13 07:08 by Iveryant
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭