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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 半导体 » 晶圆warp改善
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yjobj

铁虫 (小有名气)

[交流] 晶圆warp改善 已有2人参与

想请问一下前辈们，晶圆warp可以从哪些方面进行改善？
我做的是砷化镓
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1楼 2016-02-16 15:39:39
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BadBoy杰仔

银虫 (初入文坛)
我的建议：
改善晶圆warp可以降低线锯的供线速度，以及采用粒径更小的磨粒来进行切割，后期可以减少研磨减薄的量
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10楼2016-02-19 17:03:06
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yswyx

专家顾问 (著名写手)
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穿越千年: 金币+5, 结合各个楼层的回答，感谢您的精彩回复 2016-02-19 23:37:52
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3楼: Originally posted by yjobj at 2016-02-19 10:38:47
我要是知道是什么过程产生的我就不问了。。。
最后的产品是抛光片，不涉及到后面的器件。想改善的的出货时晶片的warp。
想知道哪些过程会对晶片warp造成较大的影响。论文上普遍的说法是长晶时内应力和线切割 ...

产业链很长，生产芯片的过程中会造成warp的工艺也非常多，所以需要说清楚
应力肯定是warp产生的原因，拉单晶时的内应力主要是冷却过程中产生的，其它的因素是杂质分布，但影响很小。最简单的办法时候延长冷却的时间，退火，静置等方法。但是这个需要不同的工艺条件来测试。
而线切割产生的应力造成的warp是很直观的。可以通过切割速度和冷却方式来不断的调整，观察warp的变化。
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8楼2016-02-19 16:17:15
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yswyx

专家顾问 (著名写手)
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说的太笼统，无处下嘴。
你是拉单晶啊，还是做器件啊，还是干嘛啊？warp有多大啊？想改善到什么程度啊？你的warp是什么过程产生的啊？
这种问题就像，请问雾霾可以从哪些方面进行改善？
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2楼2016-02-17 19:10:34
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yjobj

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2016-02-17 19:10:34
说的太笼统，无处下嘴。
你是拉单晶啊，还是做器件啊，还是干嘛啊？warp有多大啊？想改善到什么程度啊？你的warp是什么过程产生的啊？
这种问题就像，请问雾霾可以从哪些方面进行改善？

我要是知道是什么过程产生的我就不问了。。。
最后的产品是抛光片，不涉及到后面的器件。想改善的的出货时晶片的warp。
想知道哪些过程会对晶片warp造成较大的影响。论文上普遍的说法是长晶时内应力和线切割的影响。
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3楼2016-02-19 10:38:47
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yousyunnsei

捐助贵宾 (职业作家)
商家已经主动声明此回帖可能含有宣传内容
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穿越千年: 金币+5, 感谢精彩回复 2016-02-19 23:39:39
wafer的Warp改善要从长晶，线切割入手。后续的研磨，抛光几乎改善不了warp.

一般问了降低wafer Warp的大小，可以对晶片或晶棒进行热处理，在高温下，晶体内部的应力得到释放，可以减少Warp的大小。
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使人成熟的不是岁月，而是经历。
4楼2016-02-19 14:27:40
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yousyunnsei

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2楼: Originally posted by yswyx at 2016-02-17 19:10:34
说的太笼统，无处下嘴。
你是拉单晶啊，还是做器件啊，还是干嘛啊？warp有多大啊？想改善到什么程度啊？你的warp是什么过程产生的啊？
这种问题就像，请问雾霾可以从哪些方面进行改善？

此外，线切割时，增加泥浆的喷射粒度，尽量使晶棒的各点温差不要太大，尽量降低晶棒的温度。

这也是减少warp的一个方法。
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使人成熟的不是岁月，而是经历。
5楼2016-02-19 14:32:11
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yjobj

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
5楼: Originally posted by yousyunnsei at 2016-02-19 14:32:11
此外，线切割时，增加泥浆的喷射粒度，尽量使晶棒的各点温差不要太大，尽量降低晶棒的温度。

这也是减少warp的一个方法。...

"增加泥浆的喷射粒度"，是”增加泥浆的喷射力度“吗？感谢您的回答。
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6楼2016-02-19 15:46:29
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yjobj

铁虫 (小有名气)
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4楼: Originally posted by yousyunnsei at 2016-02-19 14:27:40
wafer的Warp改善要从长晶，线切割入手。后续的研磨，抛光几乎改善不了warp.

一般问了降低wafer Warp的大小，可以对晶片或晶棒进行热处理，在高温下，晶体内部的应力得到释放，可以减少Warp的大小。


谢谢！
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7楼2016-02-19 15:48:26
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yjobj

铁虫 (小有名气)
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8楼: Originally posted by yswyx at 2016-02-19 16:17:15
产业链很长，生产芯片的过程中会造成warp的工艺也非常多，所以需要说清楚
应力肯定是warp产生的原因，拉单晶时的内应力主要是冷却过程中产生的，其它的因素是杂质分布，但影响很小。最简单的办法时候延长冷却的时 ...

恩，因为我这里长晶用的是VGF法，温度梯度比较小，因此内应力也应该比较小，但这只是我直观上的感觉，不知道有什么方法可以验证？
感觉线切割那里的感觉影响因素比较多，如果做实验测试是否需要设计什么正交实验的。。。
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9楼2016-02-19 16:56:18
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