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VASP 加电场为什么打不开silicene 的带隙？
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亲爱的虫友，我不是伸手党，不会浪费大家的时间，我是VASP 小白，刚开始学习加电场，我看完了小木虫上所以关于加电场的帖子，不知道大家遇到过我这个问题吗？ 问题简述： 最近看到一篇文献， Tunable Bandgap in Silicene and Germanene，dx.doi.org/10.1021/nl203065e |Nano Lett. 2012, 12, 113 – 118， 在这篇文献里面有关于加电场的计算，我就想重复下。 按照大家的共识： 1.先在未加电场的情况下进行几何优化 2.几何优化完后，进行静态自洽计算得到WAVECAR和CHGCAR 3.WAVECAR和CHGCAR的基础上，在INCAR中加入 LDIPOL=.TRUE. IDIPOL=3 EFIELD= ×× (units V/A)再进行几何优化。 在自洽和非自洽都加电场。 我的电场已经加到了 0.6 , 结果算出来的还是一个半金属，silicene 的能隙打不开 。 请问下大家， 有好办法吗？ |
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