| 查看: 653 | 回复: 0 | |||
[求助]
VASP 加电场为什么打不开silicene 的带隙？
|
|
亲爱的虫友，我不是伸手党，不会浪费大家的时间，我是VASP 小白，刚开始学习加电场，我看完了小木虫上所以关于加电场的帖子，不知道大家遇到过我这个问题吗？ 问题简述： 最近看到一篇文献， Tunable Bandgap in Silicene and Germanene，dx.doi.org/10.1021/nl203065e |Nano Lett. 2012, 12, 113 – 118， 在这篇文献里面有关于加电场的计算，我就想重复下。 按照大家的共识： 1.先在未加电场的情况下进行几何优化 2.几何优化完后，进行静态自洽计算得到WAVECAR和CHGCAR 3.WAVECAR和CHGCAR的基础上，在INCAR中加入 LDIPOL=.TRUE. IDIPOL=3 EFIELD= ×× (units V/A)再进行几何优化。 在自洽和非自洽都加电场。 我的电场已经加到了 0.6 , 结果算出来的还是一个半金属，silicene 的能隙打不开 。 请问下大家， 有好办法吗？ |
回复此楼» 猜你喜欢
情人节自我反思：在爱情中有过遗憾吗？
已经有6人回复
-
基金正文30页指的是报告正文还是整个申请书
已经有4人回复
-
今年春晚有几个节目很不错，点赞！
已经有6人回复
-
球磨粉体时遇到了大的问题，请指教！
已经有15人回复
-
过年走亲戚时感受到了所开私家车的鄙视链
已经有5人回复
-
江汉大学解明教授课题组招博士研究生/博士后
已经有3人回复
