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Littom

新虫 (初入文坛)

[求助] 四硫代钼酸铵CVD生长二硫化钼已有2人参与

如题,生长结果硅片上长出白色粉末,没长出二硫化钼,求大神告知白色粉末是什么,为啥长不出二硫化钼?
CVD条件:
1、四硫代钼酸铵旋涂到硅片上。硅片分别用丙酮、无水乙醇、去离子水超声10min,并用氧等离子体处理5min。
2、加热至700度开始加热硫粉,然后加热至900度反应30min,退火。
3、氩气40sccm
4、气压150Pa

四硫代钼酸铵CVD生长二硫化钼
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kesy

木虫 (职业作家)

我不太了解氧等离子体处理,你的那个氧等离子体处理会不会影响。另外,硅处理后,要不要进行低温烘干处理呢?
8楼2016-01-21 17:01:25
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kesy

木虫 (职业作家)

引用回帖:
10楼: Originally posted by Littom at 2016-01-21 22:37:10
氧等离子体是为了使硅片更干净,同时使硅片表面对原子吸附力增强。洗硅片很多时候都会用到这个。
...

会不会形成一些含氧基团在高温下和硫代钼酸铵反应了,我不太了解只是一个个人疑问。
11楼2016-01-21 22:40:16
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kesy

木虫 (职业作家)

引用回帖:
13楼: Originally posted by Littom at 2016-01-21 23:13:42
反应物都不含氧,升温前炉子抽真空,用氩气洗气30min,管子里面应该没有氧。唯一可能有氧的是乙醇,旋涂以后可能在硅片上有乙醇残留,所以旋涂以后需要低温烘干,这一点我需要注意。就算有乙醇,但是要让羟基共价键 ...

我是说氧等离子处理会不会在Si表面形成含氧基团。   现在的产物先做个XRD看下是什么东西不就可以很好的帮助发现问题了么。
14楼2016-01-22 01:24:51
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